A device for dynamic monitoring of the main functional characteristics of self-propagating high-temperature synthesis occurring in multilayer thin-film structures

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

A device has been developed that allows for dynamic determination of the main functional characteristics of the self-propagating high-temperature synthesis occurring in multilayer thin-film structures. The article presents a block diagram and describes the device’s design.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

K. Volkov

Поволжский государственный технологический университет

Autor responsável pela correspondência
Email: kirill_volkov_101@bk.ru

аспирант

Rússia, Йошкар-Ола

Bibliografia

  1. Белянин А. Ф., Налимов С. А., Борисов В. В., [и др.]. Влияние отжига на строение пленок ZnO, выращенных магнетронным распылением // Вакуумная наука и техника: Материалы XXV научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов, Крым, Судак, 16–22 сентября 2018 года / Под ред. С. Б. Нестерова. М.: Новелла, 2018. С. 170–176.
  2. Шашин Д. Е. Разработка математической модели формирования тонких пленок оксида цинка с заданными значениями комплексной диэлектрической проницаемости // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Серия: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2018. № 4(40). С. 74–81. doi: 10.15350/2306-2819.2018.4.74.
  3. Shashin D. E., Sushentsov N. I. Obtaining thin metal films and their compounds using magnetron sputtering and arc evaporation in a single technological cycle // Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2059. No. 1. P. 012022. doi: 10.1088/1742-6596/2059/1/012022.
  4. Indium Corporation [Электронный ресурс]. URL: www.Indium.com. (дата обращения 04.05.2025).
  5. Волков К. А. Комплексный метод контроля основных функциональных характеристик реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза при протекании в многослойных тонкопленочных структу- рах // Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. 2025. № 1 (65). С. 83–97. DOI: https://doi.org/10.25686/2306-2819.2025.1.83; EDN: ZRMHTA.
  6. L-7113P3C (L-53P3C). Datasheet – production data [Электронный ресурс]. URL: https://www.kingbright.com/attachments/file/psearch/000/00/00/L-7113P3C(Ver.18).pdf (дата обращения 08.05.2025).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
2. Fig. 1. Model of a device for implementing a comprehensive method for monitoring the main functional characteristics of the SHS reaction: 1 - contacts for supplying an activation pulse for the SHS reaction and for measuring the voltage drop across the sample, 2 - a capacitor charged to the minimum required activation energy, 3 - optical sensors, 4 - temperature sensors, 5 - channels for recording the reaction front, 6 - copper plates, 7 - foil sample, 8 - thermal insulation

Baixar (157KB)
3. Fig. 2. Structural diagram of the device for monitoring the main functional characteristics of the SHS reaction in multilayer thin films

Baixar (241KB)
4. Fig. 3. Device for dynamic control of the main functional characteristics of the SHS reaction (open view): 1 - body parts, 2 - contacts for supplying and removing the activation energy pulse, 3 - upper copper plate with a temperature sensor (not shown) for heat transfer from the sample, 4 - thermal insulation, 5 - electronic control board, 6 - connector for communication with a PC, 7 - power connector

Baixar (96KB)

Declaração de direitos autorais © Volkov K., 2025