EUV-литография: что ожидается в 2025 году?

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

В ближайшее десятилетие EUV-литография будет использоваться для формирования топологических элементов, измеряемых в нанометрах и ангстремах. Рассматриваются методики однократного и многократного формирования рисунка.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

М. Макушин

НОБ «Военные науки и оборонная промышленность» БРЭ

Автор, ответственный за переписку.
Email: kys@electronics.ru

ведущий научный редактор

Россия

Список литературы

  1. Макушин М., Мартынов В. Производственные технологии микроэлектроники: проблемы развития. Часть 2 // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2020. №4 (00196). С. 120–127.
  2. Макушин М. Микроэлектроника: развитие производственной базы, продажи оборудования и EUV-литография // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2023. №3 (00224). C. 116–129.
  3. EUV Lithography Market Valuation – 2024–2031 // Verified Market Research. Report ID: 9079. Published Date: Mar 2024.
  4. Peters L. Key Technologies To Extend EUV To 14 Angstroms // Semiconductor Engineering. July 29th, 2024.
  5. Sterling T. ASML's next chip challenge: rollout of its new $350 mln 'High NA EUV' machine // Reuters. February 9. 2024.
  6. Non Chemically Amplified EUV Resist Market, Global Outlook and Forecast 2024–2030 // Grand research Store. Published On: 29 Mar 2024.
  7. Imec demonstrates readiness of the High-NA EUV patterning ecosystem // IMEC. February 26, 2024.
  8. Meli L. at all. EUV patterned gate variation reduction in next generation transistor architectures // SPIE Digital Library. 10 April 2024.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. EUV-сканер с высокой числовой апертурой при использовании химически усиленного резиста (CAR) формирует 16-нм структуры, а с использованием металло-оксидного резиста (MOR) – 10-нм структуры. Источник: IMEC

Скачать (20KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Новый поглотитель с низкой диэлектрической проницаемостью в EUV-шаблоне улучшает окно процесса и снижает необходимую дозу экспонирования. Требуются дальнейшие улучшения в масштабировании сшивания, снижении разброса параметров шаблонов и разработке пелликул на углеродных нанотрубках (УНТ). Источник: IMEC

Скачать (76KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Допустимая изменчивость (ошибка установки угла кристалла в заданное положение) снижается с достижимой разрешающей способностью

Скачать (45KB)
Метаданные

© Макушин М., 2024