Проектирование монолитных СВЧ-усилителей F-класса
- Авторы: Дудинов К.1, Заднепряная Н.1
-
Учреждения:
- АО «НПП „Исток“ им. Шокина»
- Выпуск: № 9 (230) (2023)
- Страницы: 118-127
- Раздел: СВЧ-электроника
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/633099
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.230.9.118.127
- ID: 633099
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Рассматривается подход к проектированию монолитных СВЧ-усилителей F-класса в Х-диапазоне на основе технологического процесса PHEMT на GaAs с нормой 0,25 мкм.
Ключевые слова
Полный текст
Об авторах
К. Дудинов
АО «НПП „Исток“ им. Шокина»
Автор, ответственный за переписку.
Email: kvdudinov@istokmw.ru
Россия
Н. Заднепряная
АО «НПП „Исток“ им. Шокина»
Email: kvdudinov@istokmw.ru
Россия
Список литературы
- Meissner A. The Development of Tube Transmitters by the Telefunken Company // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. V. 10. PP. 3–23. Feb. 1922.
- Zenneck J., Rukop H. Lehrbuch der Drahhtlosen Telegraphie // 2 teil, Germany: Stuttgart, 1925.
- Фомичев И. Н. Новый способ повышения КПД и увеличение мощности передатчиков. М.: Электросвязь, 1938. № 6. С. 55–66.
- Колесников А. А. Новый метод повышения КПД и увеличение мощности радиопередатчиков // Мастер связи – Москва. 1940. № 6. С. 5–7.
- Schmelzerand D., Long S. I. A GaN HEMT Class F Amplifier at 2 GHz with > 80% PAE // IEEE J. Solid-State Circuits. V. SC-42. PP. 2130–2136. Oct. 2007.
- Azalas M. High efficiency class-F MIMIC power amplifiers at Ku-band // Published 6 April 2005. The 2005 IEEE Annual Conference Wireless and Micrwave Technology, 2005.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
Скачать (102KB)
Скачать (158KB)
Скачать (64KB)
Скачать (75KB)
6.
Рис. 5. Упрощенная схема транзистора c цепью согласования на основной частоте f0 и с цепями управления на четных и нечетных гармониках
Скачать (105KB)
Скачать (87KB)
Скачать (124KB)
9.
Рис. 8. Нагрузки транзистора (по стоку) для основного сигнала, 2-й и 3-й гармоник, соответствующие условиям режима F-класса при напряжениях на затворе −0,45 В и −0,7 В
Скачать (617KB)
10.
Рис. 9. Нагрузки транзистора (по стоку) для основного сигнала, 2-й и 3-й гармоник, соответствующие условиям режима F-класса при напряжениях на затворе −0,9 В и −1,25 В
Скачать (615KB)
11.
Рис. 10. Нагрузочные линии, соответствующие нагрузкам транзисторам (см. рис. 8) при напряжениях питания −0,45 В и −0,7 В
Скачать (501KB)
12.
Рис. 11. Нагрузочные линии, соответствующие нагрузкам транзисторам (см. рис. 9) при напряжениях питания −0,9 В и −1,25 В
Скачать (487KB)
13.
Рис. 12. Зависимости выходных параметров от напряжения на затворе и выходного сопротивления транзистора
Скачать (667KB)
Скачать (239KB)
Скачать (99KB)
Скачать (458KB)
Скачать (133KB)
Скачать (117KB)
Скачать (185KB)
Скачать (181KB)