Design of monolithic F-class microwave amplifiers

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

The article considers an approach to the design of monolithic F-class microwave amplifiers in the X-band based on the 0.25 µm GaAs PHEMT technological process.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

K. Dudinov

АО «НПП „Исток“ им. Шокина»

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: kvdudinov@istokmw.ru
Ресей

N. Zadnepryanaya

АО «НПП „Исток“ им. Шокина»

Email: kvdudinov@istokmw.ru
Ресей

Әдебиет тізімі

  1. Meissner A. The Development of Tube Transmitters by the Telefunken Company // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. V. 10. PP. 3–23. Feb. 1922.
  2. Zenneck J., Rukop H. Lehrbuch der Drahhtlosen Telegraphie // 2 teil, Germany: Stuttgart, 1925.
  3. Фомичев И. Н. Новый способ повышения КПД и увеличение мощности передатчиков. М.: Электросвязь, 1938. № 6. С. 55–66.
  4. Колесников А. А. Новый метод повышения КПД и увеличение мощности радиопередатчиков // Мастер связи – Москва. 1940. № 6. С. 5–7.
  5. Schmelzerand D., Long S. I. A GaN HEMT Class F Amplifier at 2 GHz with > 80% PAE // IEEE J. Solid-State Circuits. V. SC-42. PP. 2130–2136. Oct. 2007.
  6. Azalas M. High efficiency class-F MIMIC power amplifiers at Ku-band // Published 6 April 2005. The 2005 IEEE Annual Conference Wireless and Micrwave Technology, 2005.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. F-class amplifier circuit on a field-effect transistor

Жүктеу (102KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Drain-source voltage waveform and current waveform for a transistor in class F mode

Жүктеу (158KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Simplified transistor circuit with microstrip line TL1 (transistor power supply circuit)

Жүктеу (64KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Simplified transistor circuit with microstrip lines TL1, TL2, and TL3

Жүктеу (75KB)
Метадеректер
6. Fig. 5. Simplified transistor circuit with matching circuit at the fundamental frequency f0 and with control circuits at even and odd harmonics

Жүктеу (105KB)
Метадеректер
7. Fig. 6. Output section of the transistor model with parasitic elements

Жүктеу (87KB)
Метадеректер
8. Fig. 7. Dependence of drain current on gate voltage for transistor fet10×56

Жүктеу (124KB)
Метадеректер
9. Fig. 8. Transistor loads (by drain) for the main signal, 2nd and 3rd harmonics, corresponding to the conditions of the F-class mode at gate voltages of −0.45 V and −0.7 V

Жүктеу (617KB)
Метадеректер
10. Fig. 9. Transistor loads (by drain) for the main signal, 2nd and 3rd harmonics, corresponding to the conditions of the F-class mode at gate voltages of −0.9 V and −1.25 V

Жүктеу (615KB)
Метадеректер
11. Fig. 10. Load lines corresponding to transistor loads (see Fig. 8) at supply voltages of −0.45 V and −0.7 V

Жүктеу (501KB)
Метадеректер
12. Fig. 11. Load lines corresponding to transistor loads (see Fig. 9) at supply voltages of −0.9 V and −1.25 V

Жүктеу (487KB)
Метадеректер
13. Fig. 12. Output parameters as functions of gate voltage and transistor output resistance

Жүктеу (667KB)
Метадеректер
14. Fig. 13. Output circuit bandwidth as functions of its quality factor

Жүктеу (239KB)
Метадеректер
15. Fig. 14. Output section diagram of F-class amplifier

Жүктеу (99KB)
Метадеректер
16. Fig. 15. Photo of F-class X-band MMIC microwave amplifier

Жүктеу (458KB)
Метадеректер
17. Fig. 16. Results of measurements and calculations of output power of F-class MMIC microwave amplifier

Жүктеу (133KB)
Метадеректер
18. Fig. 17. Results of measurements and calculations of F-class MMIC microwave amplifier efficiency

Жүктеу (117KB)
Метадеректер
19. Fig. 18. Results of measurements of the microwave power amplifier 4 W

Жүктеу (185KB)
Метадеректер
20. Fig. 19. Results of measurements of the microwave power amplifier 12 W

Жүктеу (181KB)
Метадеректер

© Dudinov K., Zadnepryanaya N., 2023