Отправить статью по E-mail Экстремальное утонение кремниевых пластин и формирование нано-TSV для 3D гетерогенной интеграции
- Авторы: Суханов Д.1
-
Учреждения:
- ООО «Остек-ЭК»
- Выпуск: № 2 (2025)
- Страницы: 112-114
- Раздел: Микро- и наноструктуры
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/680354
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2025.243.2.112.114
- ID: 680354
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Рассмотрены современные технологии, которые дают возможность выполнить утонение кремниевых пластин до 500 нм и сформировать нано-TSV с размерами ~180 × 250 нм и глубиной 500 нм.
Ключевые слова
Полный текст
Об авторах
Д. Суханов
ООО «Остек-ЭК»
Автор, ответственный за переписку.
Email: Sukhanov.d@ostec-group.ru
заместитель технического директора
РоссияСписок литературы
- Суханов Д. Шаг по направлению к квантовой электронике или жизнь микроэлектроники в эпоху постМура // Вектор высоких технологий. 2021. №2 (52). С. 20–25.
- Thomas D., Jourdain A. Extreme Si thinning and nano-TSVs to advance 3D heterogeneous integration // Chip Scale Review. 2021. V. 25. No. 1. PP. 34–38.
- Jourdain A. et al. Extreme thinning of Si wafers for via-last and multi-wafer stacking applications. – IEEE 68th Electronic Components and Technology Conference (ECTC). 29 May – 01 June 2018.
- Jourdain A. et al. Extreme wafer thinning and nano-TSV processing for 3D heterogeneous integration. IEEE 70th Electronic Components and Technology Conference (ECTC) in IEEE ECTC. June 2020.
- Van Huylenbroeck S. et al. A highly reliable 1 × 5 μm via-last TSV module. – IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC). 2018.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Типовые структуры устройств с микро-TSV (а) и нано-TSV (б) [2]
Скачать (114KB)
3.
Рис. 2. Процесс экстремального утонения до 500 нм после бондинга «пластина к пластине» [2]
Скачать (952KB)
4.
Рис. 3. Толщина Si и TTV рабочей пластины на этапах процесса утонения [2]
Скачать (145KB)
5.
Рис. 4. Последовательность процесса формирования TSV-структуры: a – совмещение Si-TSV с нижней частью M1, сухое травление, остановка на STI; б – осаждение гильзы из оксида кремния (10 нм), ее травление на дне; в – металлизация TSV и ХМП Cu; г – формирование BSM1. BS PASS – слой пассивации на обратной стороне пластины [2]
Скачать (398KB)
6.
Рис. 5. Настройка процесса травления нано-TSV и пример после заполнения Cu и ХМП: а – процесс травления с применением индуктивно связанной плазмы (inductively coupled plasma, ICP); б – Bosch-процесс на начальной стадии; в – настроенный Bosch-процесс; г – после заполнения Cu и ХМП [2]
Скачать (105KB)
