Precision wafer thinning using glass intermediate carrier

D. Sukhanov; Суханов Д.

doi:10.22184/1992-4178.2025.247.6.126.132

Прецизионное утонение пластин с использованием промежуточного носителя из стекла

Авторы: Суханов Д.¹
Учреждения:
1. ООО «Остек-ЭК»
Выпуск: № 6 (2025)
Страницы: 125-132
Раздел: Производственные технологии
URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/688723
DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2025.247.6.126.132
ID: 688723

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация
Полный текст
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Рассматриваются методы прецизионного утонения полупроводниковых пластин и обосновывается целесообразность применения подложки из стекла. Анализируется влияние упругих характеристик и коэффициентов теплового расширения на деформацию двуслойной структуры, исследуются напряжения, возникающие при демонтаже пластины, для проверки надежности стеклянного носителя.

Ключевые слова

прецизионное утонение, КТР, механический дебондинг, двуслойная пластина, стеклянный носитель, предел прочности

Полный текст

Об авторах

Д. Суханов

ООО «Остек-ЭК»

Автор, ответственный за переписку.
Email: micro@ostec-group.ru

заместитель технического директора

Россия

Список литературы

Brueckner J., Gaab A., Lin S., Chang E., Ono T., Singh V., Zhang J., Tussing S., Spiess W. Enabling wafer thinning using a glass carrier // Chip Scale Review. March – April, 2021

Дополнительные файлы

Доп. файлы

Действие

1. JATS XML

Скачать

2. Рис. 1. Графики зависимостей деформации двуслойной структуры от различных параметров: (а) – от несоответствия КТР: Eg = 70 ГПа, tg = 1,1 мм; (б) – от модуля Юнга носителя: tg = 1,1 мм, ΔКТР = 1,0 мкм/°С; (в) – от толщины носителя: Eg = 70 ГПа; ΔКТР = 1,0 мкм/°С