Прецизионное утонение пластин с использованием промежуточного носителя из стекла

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Рассматриваются методы прецизионного утонения полупроводниковых пластин и обосновывается целесообразность применения подложки из стекла. Анализируется влияние упругих характеристик и коэффициентов теплового расширения на деформацию двуслойной структуры, исследуются напряжения, возникающие при демонтаже пластины, для проверки надежности стеклянного носителя.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Д. Суханов

ООО «Остек-ЭК»

Автор, ответственный за переписку.
Email: micro@ostec-group.ru

заместитель технического директора

Россия

Список литературы

  1. Brueckner J., Gaab A., Lin S., Chang E., Ono T., Singh V., Zhang J., Tussing S., Spiess W. Enabling wafer thinning using a glass carrier // Chip Scale Review. March – April, 2021

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Графики зависимостей деформации двуслойной структуры от различных параметров: (а) – от несоответствия КТР: Eg = 70 ГПа, tg = 1,1 мм; (б) – от модуля Юнга носителя: tg = 1,1 мм, ΔКТР = 1,0 мкм/°С; (в) – от толщины носителя: Eg = 70 ГПа; ΔКТР = 1,0 мкм/°С

Скачать (179KB)
3. Рис. 2. Стеклянные пластины, покрывающие диапазон КТР 3–13 мкм/°C

Скачать (111KB)
4. Рис. 3. Общий технологический процесс утонения и механического отделения

Скачать (206KB)
5. Рис. 4. Схематическое представление процессов обрезки кромки, монтажа на носитель и утонения

Скачать (110KB)
6. Рис. 5. Результат процесса монтажа пластины на стеклянный носитель

Скачать (67KB)
7. Рис. 6. Результаты процесса демонтажа со стеклянного носителя [1]

Скачать (187KB)
8. Рис. 7. Схематическое изображение изгиба стекла во время процесса дебондинга

Скачать (70KB)
9. Рис. 8. Графики зависимостей напряжений изгиба от радиусов кривизны стеклянных пластин для толщин 0,5 и 0,7 мм

Скачать (144KB)

© Суханов Д., 2025