Отправить статью по E-mail Оптимизация травления оксидного слоя при формировании структур TSV
- Авторы: Суханов Д.1
-
Учреждения:
- ООО «Остек-ЭК»
- Выпуск: № 9 (2025)
- Страницы: 98-102
- Раздел: Микро- и наноструктуры
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/697582
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2025.251.9.98.102
- ID: 697582
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
В статье представлен обзор методов оптимизации процесса травления оксидного слоя при формировании структур сквозных кремниевых межсоединений (TSV). Анализируется их влияние на качество и надежность 3D-интеграции полупроводниковых устройств.
Полный текст
Об авторах
Д. Суханов
ООО «Остек-ЭК»
Автор, ответственный за переписку.
Email: micro@ostec-group.ru
заместитель технического директора
Россия, 121467, г. Москва, ул. Молдавская, д. 5, стр. 2Список литературы
- Bhesetti S. S., Chandra R., Hemanth K. C., Darshini S. TSV oxide etch-back optimization for the via-last integration scheme // Chip Scale Review. May-June, 2023. PP. 15–20.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Схема формирования оксидного изолятора для подхода интеграции via-last (а); оксидный слой верхнего угла TSV после процесса травления оксида (б)
Скачать (195KB)
3.
Рис. 2. Схема технологического процесса
Скачать (121KB)
4.
Рис. 3. Структура TSV до нанесения оксидного покрытия
Скачать (174KB)
5.
Рис. 4. Структура TSV после осаждения оксидного изолирующего слоя
Скачать (194KB)
6.
Рис. 5. Модель для определения условий, обеспечивающих более высокую скорость травления оксида на дне TSV и низкую скорость в верхнем углу
Скачать (355KB)
7.
Рис. 6. Осаждение пассивационного слоя в верхнем углу TSV
Скачать (206KB)
8.
Рис. 7. Неоптимизированный процесс привел к более высокой скорости травления оксида в верхнем углу, чем на дне TSV
Скачать (186KB)
9.
Рис. 8. Оптимизированный процесс привел к увеличению ER на дне TSV и снижению ER в верхнем углу
Скачать (208KB)
