Power Supply System Electronic Components for GaN Microwave Power Amplifiers

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅或者付费存取

详细

The article presents the analytical review of foreign-made and homemade electronic components used in the design of GaN microwave power amplifier power supply systems.

全文:

受限制的访问

作者简介

E. Savchenko

ООО «ИнноЦентр ВАО»

编辑信件的主要联系方式.
Email: savchenko@icvao.ru

президент компании

俄罗斯联邦

A. Martynov

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: martynov@icvao.ru

ведущий инженер

俄罗斯联邦

A. Pershin

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: pad@icvao.ru

начальник центра проектирования

俄罗斯联邦

M. Selivanov

ООО «ИнноЦентр ВАО»

Email: smv@icvao.ru

руководитель продуктового направления

俄罗斯联邦

参考

  1. Савченко Е. М., Першин А. Д., Будяков А. С, Фондеркин К. И. Результаты разработки СВЧ МИС усилителей малой и средней мощности. – Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции. Москва, 24–25 октября 2013 года. М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013.
  2. Савченко Е., Мартынов А., Першин А., Селиванов М. Основные подходы к построению схем управления питанием GaN СВЧ-усилителей мощности // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2024. №9. С. 96.
  3. Савченко Е., Першин А., Гладких М., Селиванов М. Применение измерительных СВЧ-усилителей средней и большой мощности для исследования параметров GaN монолитных интегральных схем // СВЧ-электроника. 2022. № 1(20). С. 52–56
  4. Савченко Е. М., Першин А. Д., Кузьмин А.Ю. СВЧ МИС широкополосных усилителей как универсальные компоненты современной радиоэлектронной аппаратуры. // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2020. Т. 3. № 1. С. 75–97.
  5. Барсегян А., Кояма Д., Уокер Д., Тангем В. Авторизированный перевод Дидилев С. Особенности применения мощных GaN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах // СВЧ электроника. 2016. №1.
  6. Alt A., Hirshy H., Jiang S. et al. Analysis of gain variation with changing supply voltages in GaN HEMTs for envelope tracking power amplifiers // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2019. V. 67. Issue 7. PP. 2495–2504.
  7. Nikandish R. GaN Integrated Circuit Power Amplifiers: Developments and Prospects // IEEE Journal of Microwaves. 2023. V. 3. Issue 1. PP. 441–452.
  8. Martinez-Garcia H., Turkson R., Silva-Martinez J. Supply modulator for linear wideband RF power amplifiers // Jornades de Recerca EUETIB, 2013. PP. 65–73.
  9. Дьяконов В. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор // Силовая электроника. 2011. № 3. С. 18–28.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
2. Fig. 1. Comparison of linear voltage stabilizer ICs in terms of Upit and Ivv

下载 (80KB)
3. Fig. 2. Comparison of DC/DC converter ICs in terms of Uv and f operation.

下载 (64KB)
4. Fig. 3. Comparison of DUT ICs in terms of U input and Kvl.i.p.

下载 (77KB)
5. Fig. 4. Comparison of parameters of UI and OP drivers

下载 (114KB)
6. Fig. 5. Transient oscillograms for n-channel MOSFETs in PQFN and TO-263 packages: a - front; b - decline

下载 (55KB)

版权所有 © Savchenko E., Martynov A., Pershin A., Selivanov M., 2025