Сравнение отечественных детекторов одиночных фотонов от QRate c аналогами от ID Quantique
- Авторы: Мосенцов С.Н.1, Лосев А.В.2, Павлов И.Д.2, Заводиленко В.В.2, Филяев А.А.2, Буров Н.В.1
-
Учреждения:
- АО «ЛЛС»
- ООО «КуРэйт»
- Выпуск: Том 17, № 2 (2023)
- Страницы: 134-145
- Раздел: Квантовые технологии
- URL: https://journals.eco-vector.com/1993-7296/article/view/627306
- DOI: https://doi.org/10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.134.145
- ID: 627306
Цитировать
Полный текст
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Статья посвящена сравнению характеристик детекторов одиночных фотонов производителей QRate (Россия) и ID Quantique (Швейцария). В работе исследованы их квантовые эффективности, частоты темнового счета и вероятности послеимпульсов. Результаты тестирования показали взаимозаменяемость детекторов, несоответствие зарубежных детекторов заявленным характеристикам и продемонстрировали потенциал отечественной разработки.
Полный текст
Об авторах
С. Н. Мосенцов
АО «ЛЛС»
Автор, ответственный за переписку.
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0000-0003-2678-9663
инженер по квантовым коммуникациям
Россия, Санкт-ПетербургА. В. Лосев
ООО «КуРэйт»
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0000-0002-6030-2532
начальник отдела разработки
Россия, МоскваИ. Д. Павлов
ООО «КуРэйт»
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0000-0001-8865-556X
технический директор
Россия, МоскваВ. В. Заводиленко
ООО «КуРэйт»
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0000-0002-3252-2984
ведущий инженер
Россия, МоскваА. А. Филяев
ООО «КуРэйт»
Email: journal@electronics.ru
ORCID iD: 0000-0001-7319-8001
инженер научного проекта
Россия, МоскваН. В. Буров
АО «ЛЛС»
Email: journal@electronics.ru
генеральный директор
Россия, Санкт-ПетербургСписок литературы
- Losev V. et al. Dead Time Duration and Active Reset Influence on the Afterpulse Probability of InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes. IEEE Journal of Quantum Electronics. June 2022;58(3): 1–11. Art no. 4500111. doi: 10.1109/JQE.2022.3171671.
- Losev V., Zavodilenko V., Koziy A., Kurochkin Y., Gorbatsevich A. Dependence of Functional Parameters of Sine-Gated InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes on the Gating Parameters. IEEE Photonics Journal. April 2022; 14(2): 1–9. Art no. 6817109. doi: 10.1109/JPHOT.2022.3148204.