DEVELOPMENT OF SILICON DIFFUSION n-p-DETECTORS OF IONIZING RADIATION


Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

The paper presents an optimized manufacturing technology of silicon diffusion n-p detectors, as well as some research data on the spectrometric characteristics of silicon diffusion detectors of charged particles.

Full Text

Restricted Access

About the authors

Sali Ashirovich Radzhapov

Physical-technical Institute, SPA «Physics-Sun», Academy of Sciencesof the Republic of Uzbekistan

Email: rsafti@mail.ru
doctor of Sciences; leading researcher Tashkent, Uzbekistan

Rustam Khakimovich Rakhimov

Institute of Materials Science «Physics-Sun», Uzbekistan Academy of Sciences

Email: rustam-shsul@yandex.com
doctor of technical Sciences; head of laboratory Tashkent, Uzbekistan

Begjan Salievich Radzhapov

Physical-technical Institute, SPA «Physics-Sun», Academy of Sciencesof the Republic of Uzbekistan

Email: rsafti@mail.ru
researcher Tashkent, Uzbekistan

Mars Achmedovich Zufarov

Physical-technical Institute, SPA «Physics-Sun», Academy of Sciencesof the Republic of Uzbekistan

Email: marsuz@rambler.ru
senior researcher Tashkent, Uzbekistan

Kutbiddin Ilovitddinovich Vakhobov

Tashkent Technical University

senior schoolman Tashkent, Uzbekistan

References

  1. Акимов Ю.К. и др. Полупроводниковые детекторы и экспериментальной физики. М.: Энергатомиздат, 1989. 271 c.
  2. Азимов С.А., Муминов Р.А., Шамирзаев С.Х., Яфасов А.Я. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. Ташкент: Фан, 1981. 257 с.
  3. Radzhapov S.A.A Versatile spectrometer based on a large-volume Si(Li)-p-i-n-structure // Instruments and Experimental Techiques. New York, 2007. Vol. 50. № 4. Р. 452-454.
  4. Раджапов С.А., Раджапов Б.С., Рахимов Р.Х. Особенности технология изготовление кремниевых поверхностно-барьерных детекторов большой чувствительной рабочей площадью для измерения активности естественных изотопов // Computational Nanotechnology. 2018. № 1. С. 151-154.
  5. Заверюхина Н.Н., Вахобов К.И., Гаибов А.Г. Акустостимулированная диффузия золота в Au-Si-n-p-структурах // Доклады AH PУз. 2005. № 6. С. 20-23.
  6. Гаибов А.Г, Вахобов К.И. Влияние ультразвуковых волн на адгезионную прочность золотых покрытий к кремнию // Электронная обработка материалов. Институт прикладной физики АН Р Молдова. 2005. № 6. С. 75-78.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML


This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies