DEVELOPMENT OF SILICON DIFFUSION n-p-DETECTORS OF IONIZING RADIATION


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

The paper presents an optimized manufacturing technology of silicon diffusion n-p detectors, as well as some research data on the spectrometric characteristics of silicon diffusion detectors of charged particles.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

Sali Radzhapov

Physical-technical Institute, SPA «Physics-Sun», Academy of Sciencesof the Republic of Uzbekistan

Email: rsafti@mail.ru
doctor of Sciences; leading researcher Tashkent, Uzbekistan

Rustam Rakhimov

Institute of Materials Science «Physics-Sun», Uzbekistan Academy of Sciences

Email: rustam-shsul@yandex.com
doctor of technical Sciences; head of laboratory Tashkent, Uzbekistan

Begjan Radzhapov

Physical-technical Institute, SPA «Physics-Sun», Academy of Sciencesof the Republic of Uzbekistan

Email: rsafti@mail.ru
researcher Tashkent, Uzbekistan

Mars Zufarov

Physical-technical Institute, SPA «Physics-Sun», Academy of Sciencesof the Republic of Uzbekistan

Email: marsuz@rambler.ru
senior researcher Tashkent, Uzbekistan

Kutbiddin Vakhobov

Tashkent Technical University

senior schoolman Tashkent, Uzbekistan

Әдебиет тізімі

  1. Акимов Ю.К. и др. Полупроводниковые детекторы и экспериментальной физики. М.: Энергатомиздат, 1989. 271 c.
  2. Азимов С.А., Муминов Р.А., Шамирзаев С.Х., Яфасов А.Я. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. Ташкент: Фан, 1981. 257 с.
  3. Radzhapov S.A.A Versatile spectrometer based on a large-volume Si(Li)-p-i-n-structure // Instruments and Experimental Techiques. New York, 2007. Vol. 50. № 4. Р. 452-454.
  4. Раджапов С.А., Раджапов Б.С., Рахимов Р.Х. Особенности технология изготовление кремниевых поверхностно-барьерных детекторов большой чувствительной рабочей площадью для измерения активности естественных изотопов // Computational Nanotechnology. 2018. № 1. С. 151-154.
  5. Заверюхина Н.Н., Вахобов К.И., Гаибов А.Г. Акустостимулированная диффузия золота в Au-Si-n-p-структурах // Доклады AH PУз. 2005. № 6. С. 20-23.
  6. Гаибов А.Г, Вахобов К.И. Влияние ультразвуковых волн на адгезионную прочность золотых покрытий к кремнию // Электронная обработка материалов. Институт прикладной физики АН Р Молдова. 2005. № 6. С. 75-78.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML