METAL LAYER THICKNESS INFLUENCE ON THE DISPERSION CHARACTERISTICS OF SH-WAVES IN THE STRUCTURES “ME/ZNO/ME/DIAMOND” AND “ME/ALN/ME/DIAMOND”


Cite item

Full Text

Abstract

The research paper presents the results of computer simulation of the influence of mass loading represented by two metal layers on variations in the phase velocity of the dispersion shear modes of the elastic wave in the piezoelectric layered structures Me/ZnO/Me/diamond and Me/AlN/Me/diamond depending on the frequency and the ratio of the metal layer thickness to the piezoelectric crystalline layer thickness. The materials of the piezoelectric layers and the substrate have a set of such significant properties as the large values of the electromechanical coupling coefficient for piezoelectric and the significant values of the phase velocities for bulk waves and surface acoustic wave in diamond. Aluminum (Al), molybdenum (Mo) and platinum (Pt) are considered as the metal layer materials, which are most often used in the manufacturing of acoustoelectronic devices. It was found that variation in the elastic wave phase velocity depends on the acoustic impedance of metal layer and its thickness. More significant changes in Δv/v values at low acoustic impedance values of the metal layer occur due to a change in the thickness of the lower electrode. However, if the acoustic impedance of the metal layer is comparable with the acoustic impedance of the substrate, the increase in Δv/v values is largely due to the thickness of the upper metal layer. The results of the simulation can be used in the development of various acoustoelectronic devices, including components of the electronic base of rocket and space technology.

Full Text

Введение. Устройства акустоэлектроники имеют ограниченные размеры, и при их разработке актуальной проблемой становится учет отражения и преломления упругой волны от границы кристаллической пластины либо от зоны контакта двух различных сред [1]. Более Упругие волны малой амплитуды распространяются в невозмущенном внешними воздействиями пьезо- электрическом кристалле. Уравнение движения, урав- нение электростатики и уравнения состояния пьезо- электрической среды имеют вид [10] сложная ситуация складывается в многослойных структурах, где необходимо поочередно учитывать ρ0U&&A = τ AB,B ; DM ,M = 0; τ AB = c η - e E ; D = ε E + e η , (1) границы между всеми кристаллическими слоями. В данном случае может происходить трансформация типа упругого колебания либо возбуждение поверх- ностной волны при отражении объемной волны от межслойного интерфейса [2]. В настоящее время появилось много экспериментальных и теоретических E η ABCD CD MAB M M MN N MAB AB c ε , MN где ρ0 - плотность кристалла в недеформированном состоянии; UA - вектор динамических упругих сме- щений; τAB - тензор термодинамических напряжений; DM - вектор электрической индукции; ηCD - тензор исследований массовой чувствительности различных малых деформаций; E ABCD eMAB , η - упругие, акустоэлектронных устройств на основе многослойных пьезоэлектрических структур, работающих на попе- речных и продольной толщинных модах упругих колебаний [3-5]. В частности, существуют работы, в которых сдвиговые колебания резонаторов, создан- ных на подобных структурах, были использованы для разработки биосенсоров [6]. В сенсорах, созданных на основе слоистой пьезоэлектрической структуры, толщина электродов часто сопоставима с толщиной пьезоэлектрической пленки, и, следовательно, метал- лическими слоями нельзя пренебрегать. Тем более что такие металлы, как золото или платина, которые часто используются в сенсорах для различных биохи- мических применений, обладают значительными зна- чениями акустического импеданса [7]. Однако иссле- дования влияния массовой нагрузки пока не дают ответ на вопрос об основных причинах изменения значений фазовой скорости упругой волны в слоистой структуре. Таким образом, учет влияния толщины металлических слоев на изменение дисперсионных характеристик упругой волны в многослойной пьезо- электрической структуре имеет ключевое значение пьезоэлектрические и диэлектрические постоянные второго порядка. Для упругих смещений и электриче- ского потенциала в виде плоских монохроматических волн малой амплитуды система уравнений (1) запи- сывается в виде уравнения Грина-Кристоффеля, которое необходимо решить для каждой используе- мой среды слоистой структуры [11]. Введем рабочую ортогональную систему координат, в которой ось X3 направлена вдоль внешней нормали к поверхности слоя, а ось X1 совпадает с направлени- ем распространения волны (рис. 1). Распространение упругой волны в такой системе должно удовлетворять соответствующим граничным условиям. Граничными условиями, в частности для четырехслойной структу- ры «металл - пьезоэлектрик - металл - диэлектриче- ская подложка» (рис. 1, а), являются: равенство нулю нормальных компонент тензора напряжений на гра- нице раздела «металл-вакуум»; равенство нормаль- ных компонент тензора напряжений на границе раздела «металл-пьезоэлектрик»; равенство векторов смещения; равенство нулю волны электрического потенциала [12]: для оптимизации конструкции и повышения чувстви- тельности сенсоров на подобных структурах [8]. В настоящей работе выполнено компьютерное τ(1) = τ(2) τ(1) 3 j x3 =d1 ; φ(2) = 0 = 0; r (1) = r (2) ; моделирование влияния массовой нагрузки в виде 3 j 3 j x3 =h x3 =h ; U U r r x3 =h (2) металлических слоев на дисперсионные характери- τ(2) = τ(3) ; φ(2) = 0 ; U (1) = U (3) ; стики мод упругой волны Лява в пьезоэлектрических слоистых структурах с оксидом цинка на алмазе 3 j 3 j x3 =d2 3 j 3 j τ(3) = τ(4) x3 =d2 r (3) = r (4) x3 =d2 , (Me/ZnO/Me/алмаз) и нитридом алюминия на алмазе ; U U x =0 x =0 (Me/AlN/Me/алмаз). Данные материалы обладают на- бором таких свойств, как большие значения коэффи- циента электромеханической связи у пьезоэлектриков и значительные величины фазовых скоростей объем- ных волн и поверхностной акустической волны в ал- мазе. Благодаря этим особенностям рассматриваемые материалы широко используются при разработке различных акустоэлектронных устройств. В качестве материалов металлических слоев были выбраны алю- 3 3 где d1, d2 и h - толщины верхнего, нижнего слоя металла и пьезоэлектрического слоя соответственно. В настоящей работе рассмотрен случай, когда d1 = d2, т. е. толщины верхнего и нижнего слоев металла равны. Подставляя в граничные условия уравнения упру- гой волны в виде линейных комбинаций парциальных волн Ui = åC (m)α(n)exp éi (k1 x1 + k3(n) x3 - ωt )ù , миний, молибден, платина в виде напыленной тонкой пленки, т. е. металлы, наиболее часто применяющиеся n i ë û n (3) при изготовлении электродов [9]. Результаты выпол- ненного моделирования могут быть использованы при разработке различных акустоэлектронных устройств, в том числе используемых в качестве компонентов электронной базы ракетно-космической техники. Теоретические основы распространения упру- гих волн в слоистой пьезоэлектрической среде. φ = åC (m)α(n)exp éi (k1 x1 + k3(n) x3 - ωt )ù , 4 4 ë û n где верхний индекс n соответствует числу парциаль- ных волн в соответствующем кристаллическом слое, получим систему уравнений - граничных условий. Равенство нулю определителя матрицы граничных условий (2), размерность которой в данном случае равна 24×24, позволяет определить характеристики упругой волны. Вариации граничных условий (2) определяют все типы упругих волн, распространяющихся в слоистой структуре. Для рассматриваемых слоистых структур Me/ZnO/Me/алмаз и Me/AlN/Me/алмаз система урав- нений граничных условий (2) разделяется на две неза- висимые части: систему уравнений 16´16 для рэлеев- ских мод и систему уравнений 8´8 для SH-мод упру- гой волны. При использовании в слоистой структуре изотропных металлов, пьезоэлектрика группы сим- метрии 6 мм и диэлектрической подложки из кубиче- ского кристалла система уравнений для мод упругой волны Лява запишется в виде C (1)k (n)α(n) exp éik (n) d ù = 0, зависимости фазовых скоростей фундаментальной и первой моды волны Лява от значения параметра h´f (толщина пьезоэлектрика ´ частота) для слоистой структуры вида Me/ZnO/Me/алмаз с ориентацией [100] (001) слоя и подложки представлены на рис. 1, б, ана- логичные зависимости для слоистой структуры вида Me/AlN/Me/алмаз с ориентацией [100] (001) слоя и подложки представлены на рис. 1, в. В качестве слоя металла (Me) использовались Al, Mo, Pt, обладающие различными значениями акустического импеданса Z = ρv. Выбор различных металлов позволяет также выяснить, как высокий/низкий акустический импеданс слоя влияет на изменение фазовой скорости упругой волны. Акустические импедансы используемых слоев соотносятся как ZAl < ZAlN < ZZnO < Zалмаз < ZMo < ZPt. n 3 2 ë 3 1 û Значения материальных констант используемых мате- C(1)C(1)k (n)α(n) exp éik (n)hù риалов для алюминия и молибдена взяты в [9], ZnO - n 44 3 2 ë 3 û в [14], AlN - в [15], алмаза - в [16], поликристалличеn 44 3 2 3 - C(2)C(2)k (m)α(m) exp éëik (m)hùû = 0, C(2)C(2)k (n)α(n) exp éik (n)d ù ской платины - в [17]. Диапазон изменения фазовых скоростей SH-мод упругой волны в структуре Me/ZnO/Me/алмаз находится n 44 3 2 ë 3 2 û в пределах от значения фазовой скорости сдвиговой - C(3)C(3)k (m)α(m) exp éëik (m)d ùû = 0, (4) волны алмаза (v = 12828,2 м/с) до фазовой скорости n 44 3 2 3 2 m 2 3 n 2 3 C (1)α(m) exp éëik (m)hùû - C(2)α(n) exp éëik (n)hùû = 0, поперечно-поляризованной объемной сдвиговой вол- ны в ZnO (v = 4176,2 м/с). C (3)α(m) exp éik (m)d ù - C (2)α(n) exp éik (n)d ù = 0, В структуре Me/AlN/Me/алмаз фазовые скорости m 2 ë 3 2 û n 2 ë 3 2 û SH-мод упругой волны изменяются также от значения C(3)C(3)k (n)α(n) - C(4)C(4)k (n)α(n) = 0, фазовой скорости сдвиговой волны алмаза до фазовой n 44 3 2 n 44 3 2 скорости медленной поперечно-поляризованной C(3)α(m) - C(4)α(n) = 0, объемной сдвиговой волны в AlN (v = 5808,8 м/с). m 2 n 2 где цифровые верхние индексы 1-4 обозначают слои и подложку соответственно, по аналогии с уравне- нием (2); k3 - волновой вектор. Анализ влияния массовой нагрузки в слоистой структуре. Массовая чувствительность S многослой- ного резонатора определяется из условия энергетиче- ского баланса как частотное изменение, т. е. сдвиг относительной частоты резонатора, нормализованный к поверхностной массовой плотности [13]: Расчет изменения мод фазовых скоростей упругой волны был произведен при относительных отношениях толщин металлических слоев к толщине пьезоэлек- трика d/h = 0,005; 0,01; 0,05; 0,1. Сплошной линией на рис.1, б, в обозначены фазовые скорости мод упру- гой волны Лява (SH-моды) при металлизации пьезо- электрического слоя двумя бесконечно тонкими слоями металла, не нарушающими механических гра- ничных условий. Штриховыми линиями на рис. 1, б, в æ Df ö æ Dv ö обозначены фазовые скорости упругой волны при S = ç f ÷ ( fρs ) = ç v ÷ ( fρs ), (5) относительном отношении толщины слоя металла è 0 ø è ø где v, f - фазовая скорость и частота упругой волны. Однако недостатком данного подхода является то, что при больших значениях частоты f сглаживаются из- менения фазовой скорости при увеличении толщины металлического слоя. Поэтому в настоящей работе для определения массовой чувствительности упругой волны использовалась следующая формула: Dv v - v к слою пьезоэлектрика d/h = 0,1. В абсолютных зна- чениях представленные значения фазовых скоростей можно представить при толщинах слоев пьезоэлек- трика h = 10 мкм и металла d = 1 мкм при изменении частоты от 1 МГц до 1 ГГц. Использование слоев металла в слоистой структу- ре может существенно повлиять на перераспределе- ние упругой энергии волны вследствие акустических свойств самих слоев или сложной интерференции Sv = = mt , v vmt (6) между модами упругой волны, падающими и отражен- ными от границы раздела слоев. Например, в структугде vmt - фазовая скорость упругой волны при нанесе- нии тонкого металлического слоя, не изменяющего механических граничных условий. Отметим, что дан- ное условие, как показал компьютерный эксперимент, выполняется при толщине слоя менее 1 нм. Также условие (6) нивелирует влияние пьезоэффекта, и, сле- довательно, параметр Sv не будет зависеть от типа пьезоэлектрического слоя. Схематическое изображение исследуемых слои- стых структур представлено на рис. 1, а. Дисперсионные рах Pt/ZnO/Pt/алмаз и Pt/AlN/Pt/алмаз при увеличении значений h´f фазовые скорости SH-мод (волны Лява) упругой волны стремятся к значению фазовой скоро- сти объемной сдвиговой волны в Pt. Аналогичная ситуация проявляется и при использовании в много- слойной структуре других металлов. При этом отме- чается, что в структуре Me/AlN/Me/алмаз скорости SH-мод упругой волны при одинаковом типе металла и значении параметра h´f уменьшаются более значи- тельно, чем в структуре Me/ZnO/Me/алмаз. Рис. 1. Дисперсионные зависимости фазовых скоростей от произведения h´f для слоистой структуры Me/пьезоэлектрик/Me/алмаз: а - схема слоистой структуры; б - моды SH-волны L0 и L1 в структуре Me/ZnO/Me/алмаз; в - моды SH-волны L0 и L1 в структуре Me/AlN/Me/алмаз; сплошные линии - скорости мод при бесконечно тонких слоях металла, штриховые линии - скорости при толщине слоев металла d/h = 0,1 Fig. 1. Dispersive dependence of phase velocities on the product h´f for the layered structure Me/Piezoelectric /Me/diamond: a - the scheme of the layered structure; b - SH-wave mode L0 and L1 in the structure Me/ZnO/Me/diamond; c - SH-wave mode L0 and L1 in the structure Me/ AlN/Me/diamond. Solid lines - mode velocities for infinitely thin metal layers, dash lines - mode velocities for metal layers thickness d/h = 0,1 На рис. 2 представлены графики относительного изменения фазовых скоростей Sv (6) фундаментальной моды L0 и первой моды L1 волны Лява в зависимости от типа металлического слоя, отношения d/h и пара- метра h´f в структуре Me/ZnO/Me/алмаз. Максималь- ные значения параметра Sv моды L0 достигаются при значении h´f = 600-700 м/c при использовании всех типов металлических слоев и отношении d/h = 0,1 (рис. 2, а-в). При использовании слоев Al и Mo значе- ния параметра Sv = 0,24 и Sv = 0,26 соответственно, но для структуры Pt/ZnO/Pt/алмаз параметр Sv = 0,49. Необходимо отметить, что увеличение толщины ме- таллического слоя приводит к смещению частоты сигнала при достижении максимальных значений па- раметра Sv. Существенный рост значений параметра Sv особенно проявляется с ростом значений h´f при отношении d/h > 0,05. Данное увеличение значений Sv особенно существенно для металлов с высоким зна- чением акустического импеданса для фундаменталь- ной моды L0 упругой волны. Однако численные зна- чения Sv в зависимости от типа металла существенно отличаются, например, в структуре Al/ZnO/Al/алмаз Sv = 0,11 при h´f = 8500 м/c, а в структуре Pt/ZnO/Pt/ алмаз Sv = 0,56 при аналогичном значении h´f . Максимальные значения параметра Sv для моды L1 упругой волны Лява достигаются при h´f = 2100 м/c, где выполняется условие h = λ/4, т. е. толщина пьезо- электрического слоя равна четверти длины упругой волны (рис. 2, г-е). Однако в отличие от фундамен- тальной моды L0 для первой моды L1 волны Лява величины параметра Sv с ростом значений h´f умень- шаются при использовании металлических слоев Al или Mo, но для структуры Pt/ZnO/Pt/алмаз при отно- шении d/h = 0,1 происходит резкий рост значений параметра Sv (рис. 2, е). На рис. 3 представлены графики относительного изменения фазовых скоростей Sv фундаментальной и первой моды волны Лява в зависимости от типа металлического слоя, отношения d/h и параметра h´f в структуре Me/AlN/Me/алмаз. Максимальные значения параметра Sv моды L0 достигаются при значениях h´f = 1300-1400 м/c при использовании всех типов металлических слоев и отношении d/h = 0,1 (рис. 3, а-в). При использовании слоев Al и Mo значения параметра Sv = 0,27 и Sv = 0,31 соответственно, а для структуры Pt/AlN/Pt/алмаз па- раметр Sv = 0,55. Значения параметра Sv на 12-13 % превышают аналогичные значения для структуры Me/ZnO/Me/алмаз, при этом увеличение толщины металлического слоя также приводит к смещению частоты сигнала при достижении максимальных значений параметра Sv. При этом в отличие от преды- дущей структуры для фундаментальной моды L0 упругой волны отмечено существенное увеличение значений параметра Sv для всех типов металлов при отношении d/h > 0,05. Величина параметра Sv при больших значениях h´f может быть сравнима или даже превышать значения в локальном максимуме при h´f = 1300-1400 м/c. Например, в структуре Al/AlN/Al/алмаз Sv = 0,26 при h´f = 8500 м/c, а в структуре Pt/AlN/Pt/алмаз Sv = 0,73 при аналогич- ном значении h´f. Максимальные значения параметра Sv для моды L1 упругой волны Лява достигаются при h´f = 4300 м/c, где выполняется условие h = λ/4, т. е. толщина пьезо- электрического слоя равна четверти длины упругой волны (рис. 3, г-е). В целом характер изменений параметра Sv аналогичен изменениям Sv в предыдущей слоистой структуре. Рис. 2. Дисперсионные зависимости изменения фазовых скоростей моды L0 и L1 от произведения h´f для слоистой структуры Me/ZnO/Me/алмаз: а, г - алюминий; б, д - молибден; в, е - платина; отношение толщин металла и пьезоэлектрика d/h: 0,005; 0,01; 0,05; 0,1 Fig. 2. Dispersive dependence of the change of phase velocities of the mode L0 and L1 on the product of h´f for the layered structure Me/ZnO/Me/diamond: a (а), d (г) - aluninium; b (б), e (д) - molybdenum; c (в), f (е) - platinic. Ratio of the metal layers and piezoelectric d/h: 0,005; 0,01; 0,05; 0,1 При создании устройств акустоэлектроники жела- тельно представлять характер зависимости характери- стик упругой волны от свойств дополнительных слоев. На рис. 4 представлены зависимости параметра Sv от величины значения d/h для фундаментальных и пер- вых мод упругой волны в обеих слоистых структурах. В случае рассмотрения структуры Me/ZnO/Me/алмаз линейная зависимость наблюдается только при исполь- зовании слоев Al (рис. 4, а). Например, для фундамен- тальной моды L0 волны Лява при h´f = 700 м/с и первой моды L при h´f = 3400 м/с зависимость S от величи- В случае рассмотрения упругих волн Лява в струк- туре Me/AlN/Me/алмаз линейная зависимость уже не наблюдается (рис. 4, б). Например, для фундамен- тальной моды L0 волны Лява при h´f = 1300 м/с и первой моды L1 при h´f = 4400 м/с зависимость Sv от величи- ны значения d/h аппроксимируется выражением Sv = = -9,6·(d/h)2 +3,7·d/h и Sv = -17,5·(d/h)2 + 5,4·d/h соот- ветственно. При использовании слоев платины присут- ствует явно выраженная квадратичная зависимость: Sv = -35·(d/h)2 + 9·d/h для фундаментальной моды L0 1 v и S = -48,6·(d/h)2+10,7·d/h для моды L . При этом ны значения d/h аппроксимируется выражением Sv = v 1 = 2,2·d/h и Sv = 0,94·d/h соответственно. Однако уже для структуры Mo/ZnO/Mo/алмаз наблюдается квад- ратичная зависимость Sv = -9,3·(d/h)2 + 3,2·d/h для фундаментальной моды L0 и Sv = -6,4·(d/h)2 + 1,6·d/h для моды L1. При использовании слоев платины при- сутствует явно выраженная квадратичная зависимость Sv = -30,6·(d/h)2 + 7,5·d/h для фундаментальной моды максимальные величины параметра Sv наблюдаются для первой моды волны Лява при отношении d/h = 0,1. В отличие от предыдущей структуры, мода L1 обладает большей чувствительностью при всех типах металлов, чем фундаментальная мода волны Лява. Необходимо отметить, что подобные зависимости параметра S прослеживаются на всем рассмотренном L0 и Sv = -17,4·(d/h)2 + 3,1·d/h для моды L1. При этом наблюдаются максимальные величины параметра Sv для фундаментальной моды волны Лява при отноше- нии d/h = 0,1. В целом в рассмотренной структуре мода L0 обладает большей чувствительностью при всех типах металлов, чем первая мода волны Лява. v частотном интервале. Таким образом, в многослойных структурах Me/ZnO/Me/алмаз и Me/AlN/Me/алмаз чувствительность Sv находится в прямой зависимости от значения акустического импеданса металлического слоя. Рис. 3. Дисперсионные зависимости изменения фазовых скоростей моды L0 и L1 от произведения h´f для слоистой структуры Me/AlN/Me/алмаз: а, г - алюминий; б, д - молибден; в, е - платина; отношение толщин металла и пьезоэлектрика d/h: 0,005; 0,01; 0,05; 0,1 Fig. 3. Dispersive dependence of the change of phase velocities of the mode L0 and L1 on the product of h´f for the layered structure Me/AlN/Me/diamond: a (а), d (г) - aluninium; b (б), e (д) - molybdenum; c (в), f (е) - platinic. Ratio of the metal layers and piezoelectric d/h: 0,005; 0,01; 0,05; 0,1 Рис. 4. Графики зависимости Sv отношения от толщины металла: a - структура Me/ZnO/Me/алмаз, мода L0 при h´f = 700 м/с и мода L1 при h´f = 3400 м/с; б - структура Me/AlN/Me/алмаз, мода L0 при h´f = 1300 м/с и мода L1 при h´f = 4400 м/с 647 Fig. 4. Dependency Graphs of the dependency of Sv ratio on the metal thickness: a - the structure Me/ZnO/Me/diamond, mode L0 of h´f = 700 м/с and mode L1 of h´f = 3400 м/с; b - the structure Me/ AlN /Me/diamond, mode L0 of h´f = 1300 м/с and mode L1 of h´f = 4400 м/с При рассмотрении условий распространения упругой волны в пьезоэлектрической структуре типа Me/пьезоэлектрик/Me/алмаз возникает следующий вопрос: каким образом верхний или нижний металли- ческий слой влияет на изменение фазовой скорости волны? Установлено, что для геометрически несим- метричной многослойной структуры, когда толщины металлических слоев и/или типы материалов варьи- руются, значения параметра Sv будут отличаться. На рис. 5 представлены дисперсионные зависимо- сти фундаментальной моды L0 волны Лява от вели- чины параметра h´f в структурах Me/ZnO/алмаз и ZnO/Me/алмаз. В структуре Me/ZnO/алмаз характер изменения параметра Sv при использовании различ- ных металлов качественно подобен поведению параметра Sv в структуре Me/ZnO/Me/алмаз. Однако отмечено, что если в структурах Al/ZnO/Al/алмаз и Mo/ZnO/Mo/алмаз величины параметра Sv сравнимы (см. рис. 2, а, б), то для структур Al/ZnO/алмаз и Mo/ZnO/алмаз значения параметра Sv существенно отличаются (рис. 5, а, б). В частности, при использо- вании Al при значении h´f = 700 м/c и d/h = 0,1 значе- ние параметра Sv = 0,075, а при использовании Mo величина Sv = 0,21. Для структур Pt/ZnO/Pt/алмаз и Pt/ZnO/алмаз характер поведения и значения пара- метра Sv практически не меняются (рис. 2, в, рис. 5, в). В структурах ZnO/Me/алмаз характер поведения дисперсии параметра Sv моды L0 меняется: высокие значения чувствительности сменяются низкими, и наоборот. Например, при использовании слоя Al при значении h´f = 700 м/c и d/h = 0,1 параметр Sv = 0,18, для Mo Sv = 0,06, и для Pt Sv = 0,12. На рис. 6 представлены дисперсионные зависимости фундаментальной моды L0 волны Лява в структурах Me/AlN/алмаз и AlN/Me/алмаз. В структуре Me/AlN/алмаз характер изменения параметра Sv при использовании различных металлов качественно подобен поведению параметра Sv в структуре Me/AlN/Me/алмаз. Анало- гично рассмотренному предыдущему случаю с несим- метричной металлизацией структур ZnO/алмаз в струк- турах Al/AlN/Al/алмаз и Mo/AlN/Mo/алмаз величины параметра Sv сравнимы (см. рис. 3, а, б), а для структур Al/AlN/алмаз и Mo/AlN/алмаз значения параметра Sv существенно отличаются (см. рис. 6, а, б). В частности, при использовании Al при значении h´f = 1600 м/c и d/h = 0,1 значение параметра Sv = 0,09, а при исполь- зовании Mo величина Sv = 0,26. Для структур Pt/AlN/Pt/алмаз и Pt/AlN/алмаз характер поведения и значения параметра Sv практически не меняются (см. рис. 3, в, рис. 6, в). Рис. 5. Дисперсионные зависимости изменения фазовых скоростей моды L0 от произведения h´f для слоистой структуры Me/ZnO/алмаз (а-в) и ZnO/Me/алмаз (г-е): а, г - алюминий, б, д - молибден, в, е - платина; отношение толщин металла и пьезоэлектрика d/h: 0,005; 0,01; 0,05; 0,1 Fig. 5. Dispersive dependence of the change of phase velocities of the mode L0 on the product of h´f for the layered structure Me/ ZnO /Me/diamond (а-в) and ZnO/Me/diamond (г-е): a (а), d (г) - aluninium; b (б), e (д) - molybdenum; c (в), f (е) - platinic. Ratio of the metal layers and piezoelectric d/h: 0,005; 0,01; 0,05; 0,1 Рис. 6. Дисперсионные зависимости изменения фазовых скоростей моды L0 от произведения h´f для слоистой структуры Me/AlN/алмаз (а-в) и AlN/Me/алмаз (г-е): а, г - алюминий; б, д - молибден; в, е - платина; отношение толщин металла и пьезоэлектрика d/h: 0,005; 0,01; 0,05; 0,1 Fig. 6. Dispersive dependence of the change of phase velocities of the mode L0 on the product of h´f for the layered structure Me/ AlN /Me/diamond (а-в) and AlN /Me/diamond (г-е): a (а), d (г) - aluninium; b (б), e (д) - molybdenum; c (в), f (е) - platinic. Ratio of the metal layers and piezoelectric d/h: 0,005; 0,01; 0,05; 0,1 В структурах AlN/Me/алмаз характер поведения дисперсии параметра Sv моды L0 также меняется: высокие значения чувствительности сменяются низ- кими, и наоборот. Например, при использовании слоя Al при значении h´f = 1300 м/c и d/h = 0,1 параметр Sv = 0,22, для Mo Sv = 0,097, и для Pt Sv = 0,23. Таким образом, в обоих типах структур с несим- метричной металлизацией при высоких значениях акустического импеданса металлического слоя макси- мальные значения чувствительности достигаются при наличии верхнего металлического слоя, т. е. в струк- туре Me/ZnO/алмаз и Me/AlN/алмаз, а при низких величинах акустического импеданса - в структурах при наличии промежуточного металлического слоя (ZnO/Me/алмаз и AlN/Me/алмаз). Заключение. Влияние массовой нагрузки в виде двух металлических слоев (моделирующих верхний и нижний электрод) на изменение фазовой скорости Δv/v дисперсионных мод упругой волны в пьезоэлек- трических слоистых структурах Me/ZnO/Me/алмаз и Me/AlN/Me/алмаз в зависимости от частоты и от- ношения d/h находится в прямой зависимости от зна- чения акустического импеданса металлического слоя. Отмечено, что максимальные значения изменения фазо- вых скоростей мод упругой волны Δv/v достигаются при конфигурации слоистой системы Pt/AlN/Pt/алмаз. Кроме того, структуры Me/AlN/Me/алмаз обладают большим значениями чувствительности Sv, чем структуры Me/ZnO/Me/алмаз. Обнаружено, что максималь- ные значения величин Δv/v достигаются, если толщи- на металлического слоя кратна четверти длины упру- гой волны. Необходимо отметить, что при низких значениях акустического импеданса металлического слоя более существенные изменения величин Δv/v происходят вследствие изменения толщины нижнего электрода. Однако если акустический импеданс металлического слоя сравним с акустическим импе- дансом подложки, то в данном случае увеличение значений величин Δv/v в большей степени обусловле- но толщиной верхнего металлического слоя. Полученные результаты могут быть полезными при разработке управляемых акустоэлектронных уст- ройств на волнах Рэлея и Лява.
×

About the authors

O. P. Zolotova

Reshetnev Siberian State University of Science and Technology

Email: zolotova@sibsau.ru
31, Krasnoyarsky Rabochy Av., Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation

S. I. Burkov

Siberian Federal University

79, Svobodny Av., Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

References

  1. Гуляев Ю. В. Акустоэлектроника (исторический обзор) // Успехи физических наук. 2005. № 8 (175). С. 887-895.
  2. Альшиц В. И., Любимов В. Н., Радович А. Резо- нансное возбуждение волн Лява в структурах типа «сэндвич» // Физика твердого тела. 1996. № 4 (38). С. 1091-1099.
  3. Thin aluminum nitride film resonators. Miniaturized high sensitivity mass sensors / R. P. O’Toole [et al.] // Analytical Chemistry. 1992. Vol. 64. P. 1289-1294.
  4. Rey-Mermet S., Lanz R., Muralt P. Bulk acoustic wave resonator operating at 8GHz for gravimetric sensing of organic films // Sensors and Actuators B: Chemical. 2006. Vol. 114. P. 681-686.
  5. First results on label-free detection of DNA and protein molecules using a novel integrated sensor technology based on gravimetric detection principles / R. Gabl [et al.] // Biosensors and Bioelectronics. 2004. Vol. 19. P. 615-620.
  6. Immunosensor utilizing a shear mode thin film bulk acoustic sensor / G. Wingqvist [et. al.] // Sensors and Actuators B: Chemical. 2007. Vol. 127. P. 248-252.
  7. Nakamoto T., Moriizumi T. A theory of a quartz crystal microbalance based upon a Mason equivalent circuit // Japanese Journal of Applied Physics. 1990. P. 1, vol. 29. P. 963-969.
  8. Lamb waves dispersion curves for diamond based piezoelectric layered structure / B. P. Sorokin [et. al.] // Applied Physics Letters. 2016. Vol. 108. P. 113501 (5).
  9. Mansfeld G. D., Alekseev S. G., Kotelyansky I. M. Acoustic HBAR spectroscopy of metal (W, Ti, Mo, Al) thin films // Proceeding IEEE Ultrasonics Symposium (7-10 Oct. 2001, Atlanta, USA). 2001. Vol. 1. P. 415-418.
  10. Фарнелл Д. Типы и свойства поверхностных акустических волн // Поверхностные акустические волны / под ред. А. Олинера. М. : Мир, 1981. 500 с.
  11. Упругие волны в пьезоэлектрических слоистых структурах / О. П. Золотова [и др.] // Журнал Сибир- ского федерального университета. Серия «Математика и физика». 2012. № 2 (5). С. 164-186.
  12. Piezoelectric-layered structures based on synthetic diamond / B. P. Sorokin [et. al.] // InTech: Piezoelectric Materials. 2016. P. 161-199.
  13. Гравиметрическая чувствительность акустиче- ских волн в тонких пьезоэлектрических пластинах в присутствии жидкости / И. Е. Кузнецова [и др.] // Письма в ЖТФ. 2006. № 16 (32). С. 84-89.
  14. Zhang Z., Wen Z., Wang C. Investigation of sur- face acoustic waves propagating in ZnO-SiO2-Si multi- layer structure // Ultrasonics. 2013. Vol. 53. P. 363-368.
  15. Tsubouchi K., Sugai K., Mikoshiba N. AlN mate- rial constants evaluation and SAW properties on AlN/Al2O3 and AlN/Si // Proceeding IEEE Ultrasonics Symposium (14-16 Oct. 1981, Chicago, USA). 1981. P. 375-380.
  16. Experimental investigation of the linear and nonlinear elastic properties of synthetic diamond single crystal / B. P. Sorokin [et. al.] // Журнал Сибирского федерального университета. Серия «Математика и физика». 2013. № 1(6). С. 120-126.
  17. Macfarlane R. E., Rayne J. A., Jones C. K. Anomalous temperature dependence of shear modulus С44 for platinum // Physics Letters. 1965. Vol. 18. P. 91-92.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML

Copyright (c) 2017 Zolotova O.P., Burkov S.I.

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies