Отправить статью по E-mail Генерация и накопление вакансий в кристалле, выращиваемом из расплава
- Авторы: Ленченко В.М.1, Логинов Ю.Ю.2
-
Учреждения:
- Сибирский федеральный университет
- Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева
- Выпуск: Том 10, № 3 (2009)
- Страницы: 14-16
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.eco-vector.com/2712-8970/article/view/508250
- ID: 508250
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Предложена модель образования вакансий в кристалле, выращиваемом из расплава, в результате его неплотной упаковки при кристаллизации. Рассчитана зависимость концентрации вакансий от скорости вытягивания слитка из расплава v, градиента температур на фронте кристаллизации G и параметров диффузионно-дрейфового переноса вакансий в горячей зоне кристалла. Показано, что вакансионный рост кристалла происхо-
дит, если параметр Воронкова Е = ^ > Е., где Е. = ^ b'b , здесь ч\ = -^-, N0 и № - термодинамические
g ■ ' 1-т, 2 n 0
равновесные концентрации атомов в расплаве и кристалле соответственно, еь - энергия кристаллизации атомов, Dls - коэффициент диффузии на границе «расплав-кристалл». Предложенная модель позволяет провести оценки режимов роста слитка из расплава.
дит, если параметр Воронкова Е = ^ > Е., где Е. = ^ b'b , здесь ч\ = -^-, N0 и № - термодинамические
g ■ ' 1-т, 2 n 0
равновесные концентрации атомов в расплаве и кристалле соответственно, еь - энергия кристаллизации атомов, Dls - коэффициент диффузии на границе «расплав-кристалл». Предложенная модель позволяет провести оценки режимов роста слитка из расплава.
Ключевые слова
Об авторах
Виктор Макарович Ленченко
Сибирский федеральный университеткандидат физико - математических наук, профессор; Сибирский федеральный университет
Юрий Юрьевич Логинов
Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева
Email: loginov@sibsau.ru
доктор физико-математических наук, профессор, проректор по научно-инновационной деятельности; Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева
Список литературы
- Voronkov, V. V. Vacancy and s elf -inters titial co nc entration incorporated into growing siticon crystals / V. V. Voronkov, R . Falster // J. Appl. P hy s. 1999. V ol. 86. P . 5975-5982.
- Voronkov , V. V. The mechanism of sw irl defect formation in Silicon / V. V. Voronkov // J. Crystal Growth. 1982. V ol. 59. P . 625-643.
- Воронков, В. В. Образование дефектов в кристалле кремния / В. В. Воронков // Кристаллография. 1984. Т. 29. С. 688-709.
- Пузанов, Н. И. Классификация ростовых дефектов в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского / Н. И. Пузанов, А. М. Эйдензон // Неорган. материалы. 1995. Т. 31. С. 435-443.
Дополнительные файлы
