Магнитные свойства и электрическая поляризация при гетерогенном замещении в пиростаннате висмута Bi2 (Sn0,9Ме0,1)2O7, Ме = Cr3+, Fe3+

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Пиростаннат висмута Bi2Sn2O7 является диамагнетиком и относится к структурному типу класса пирохлора А2В2О7. В этом классе соединений, при наличии магнитных ионов, проявляются очень интересные магнитные свойства. Хром- и железозамещенные пиростаннаты висмута Bi2(Sn0.9Ме0,1)2O7, Ме = Cr и Fe синтезированы методом твердофазного синтеза. Рентгеноструктурный анализ показал, что образцы соответствуют моноклинной ячейке Pc в α-фазе Bi2Sn2O7 при комнатной температуре. Изучены магнитные свойства до 1100 К в магнитных полях до 0,86 Т и электрическая поляризация на частотах 10, 3 и 1 mHz в интервале температур 80–550 К. Исследовано влияние гетерогенного замещения ионами Cr3+ и Fe3+ на магнитные свойства и электрическую поляризацию. Анализ экспериментальных данных выявил зависимость магнитных свойств от степени заполнения электронных оболочек ионов хрома и железа. Соединение Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 проявляет ферромагнитные свойства, а Bi2(Sn0,9Fe0,1)2O7 – антиферромагнитные. В хромзамещенном пиростаннате висмута при α→β переходе парамагнитная температура Кюри возрастает в 3 раза. Температурная зависимость обратной магнитной восприимчивости характеризуется гистерезисом в районе температур 400–900 К. Обратная магнитная восприимчивость Bi2(Sn0,9Fe0,1)2O7 во всем температурном интервале удовлетворительно описывается законом Кюри–Вейсса. Исследования магнитных свойств установили, что ионы Fe3+ находятся в высокоспиновом состоянии. Найден гистерезис поляризации в Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7, который смещается по оси поляризации и зависит от температуры. Bi2(Sn1–хFeх)2O7, х = 0,1 характеризуется линейной полевой зависимостью. С увеличением концентрации ионов железа возникает гистерезис полевой зависимости электрической поляризации. Нелинейная полевая зависимость поляризации в Bi2(Sn0,8Fe0,2)2O7 объяснятся взаимодействием дипольной и миграционной поляризаций. Для соединения Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 обнаружен переход в состояние дипольного стекла. В β-фазе Bi2(Sn0,8Fe0,2)2O7 выше Т = 400 К гистерезис поляризации не наблюдается и преобладает электронно-релаксационная поляризация. Механизм возникновения электронной поляризации объясняется с возникновением анионных вакансий при гетерогенном замещении ионов олова

Полный текст

Введение*

Материалы, используемые в современных электронных устройствах, должны обладать одновременно сегнетоэлектрическими, ферромагнитными или антиферромагнитными свойствами. К таким материалам относятся сложные оксиды, имеющие в своем составе ионы железа. В них проявляется магнитоэлектрический эффект и свойства мультиферроиков [1–5]. Магниторезистивные эффекты, возникающие в результате взаимодействия магнитной подсистемы со спинами электронов проводимости, исследовались в рамках s-d модели и модели взаимодействия орбитальных магнитных моментов со спиновыми на основе сульфидов марганца. Магнитосопротивление может быть обусловлено спин-орбитальным взаимодействием в топологических изоляторах [6–11].

Сочетание магнитных и электрических свойств, характерное для мультиферроиков, показывают соединения на основе структурного типа пирохлора А2В2О7. Этим материалам присущи как спонтанная намагниченность, магнитострикция, спонтанная поляризация и пьезоэлектрический эффект, так и магнитоэлектрический эффект (индуцированная магнитным полем электрическая поляризация и индуцированная электрическим полем намагниченность), а также эффект магнитоэлектрического контроля (переключение спонтанной поляризации магнитным полем и спонтанной намагниченности электрическим полем). Магнитоэлектрические эффекты могут быть обусловлены как магнитоупругим взаимодействием [12], так и в результате эффекта Максвелла–Вагнера [13–14]. Катионы А и В в структуре пирохлора А2В2О7 образуют подрешетку связанных углами тетраэдров, что может приводить к интенсивной фрустрации магнитного взаимодействия и низкотемпературным свойствам [15]. В Cd2Ti2O7 сильные фрустрации приводят к разупорядоченному состоянию спинов ниже температуры Кюри–Вейсса ТCW ≈ 10 К. Фрустрированные обменные взаимодействия могут привести к уменьшению намагниченности [16–17] и к образованию спинового стекла [18–19]. Переход в упорядоченную фазу, обусловлен диполь-дипольным взаимодействием при Т ≈ 1 К [20]. Отсутствие полного упорядочения сопровождается полным разрушением дальнего порядка и образованием парамагнитного состояния типа спиновой жидкости [21–26]. Это вызывает магнитокалорический эффект, востребованный в криотехнике.

Катионное окружение в кристаллической структуре пирохлоров делает невозможным антиферромагнитное взаимодействие между катионами одноосных направлений [27]. По-видимому, по этой причине многие пирохлоры характеризуются отсутствием дальнего магнитного порядка. Как правило, сложные оксиды со структурой пирохлора демонстрируют спин-стекольное состояние. Однако такие соединения могут быть и ферромагнитными, например Ln2V2O7 (Ln = Lu, Yb, Tm) [28]. Марганецсодержащие пирохлоры обнаруживают сложную зависимость магнитных характеристик от природы А-катиона. Так, если в А-позиции находятся Sc, Y, Lu, то соединения характеризуются спин-стекольным поведением и проявляют полупроводниковые свойства [29], а Tl2Mn2O7 и In2Mn2O7 – ферромагнетики [30]. Пиростаннат висмута Bi2(Sn1–хMnх)2O7, х = 0,05 и 0,1, проявляет антиферромагнитные свойства. С увеличением концентрации Mn4+ наблюдается увеличение антиферромагнитного обмена.

В кристаллической структуре пиростанната висмута Bi2Sn2O7 отсутствуют магнитные ионы. Замещая ионы Sn4+ 3d элементами, можно получить новые соединения, относящиеся к мультиферроикам. Изовалентное замещение ионами Mn4+ привело к антиферромагнитизму. При гетеровалентном замещении ионами Cr3+ и Fe3+ будут наблюдаться искажения кислородных октаэдров, что приведет к возникновению спонтанной поляризации и магнитного порядка. Различная степень заполнения электронных оболочек ионов (Cr3+1s22s22p63s23p64s03d3 и Fe3+1s22s22p63s23p64s23d3) отразится на магнитных и электрических свойствах.

Цель работы: установить влияние гетерогенного замещения ионами Cr3+ и Fe3+ на возникновение магнитного порядка и поляризации в пиростаннате висмута Bi2Sn2O7.

Методика эксперимента

Синтез пиростанната висмута, замещенного 3d-элементами Bi2(Sn0,9Ме0,1)2O7, Ме = Cr и Fe, выполнен методом многоступенчатого твердофазного синтеза. Рентгеноструктурные данные говорят, что синтезированные образцы соответствуют моноклинной ячейке Pc в α-фазе Bi2Sn2O7 при комнатной температуре [31–35]. Кристаллическая структура Bi2Sn2O7 содержит 32 иона Bi3+, 32 иона Sn4+ и 112 ионов O2− в независимой части ячейки (рис. 1). Все ионы Bi3+ имеют в ближайшем окружении восемь ионов O2− и формируют искаженные кубы, а Sn4+ окружены шестью ионами O2− и формируют октаэдры, которые соединяются между собой вершинами. Замещая ионы Sn4+, ионы Cr3+ и Fe3+ создают дефекты в кислородном октаэдре SnО6 (вставка на рис. 1).

 

Рис. 1. Кристаллическая структура Bi2Sn2O7. Отдельно показаны дефектный кислородный октаэдр SnO6 с замещением ионами Fe3+ и полиэдр BiO8

Fig. 1. Crystal structure of Bi2Sn2O7. The defect oxygen octahedron SnO6 substituted by Fe3+ ions and the polyhedron BiO8 are shown separately

 

Магнитные свойства Bi2(Sn0,9Ме0,1)2O7, Ме = Cr и Fe изучены на высокотемпературной установке методом Фарадея в интервале температур до 1100 K и магнитных полей до 0,86 Т. Полевые зависимости электрической поляризации исследованы квазистатическим методом на частотах 10,3 и 1 mHz в интервале температур 80–550 К. Проведены два цикла измерений на образцах, на которые нанесены контакты из серебра, между контактами и образцом находится лак для предотвращения токов утечки.

1.      Магнитная восприимчивость

Температурная зависимость магнитной восприимчивости для Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 представлена на рис. 2, а. Величина обратной магнитной восприимчивости меняет наклон (вставка рис. 2, а) при переходе из α→β фазу при Т = 370 К. Парамагнитная температура Кюри возрастает в 3 раза. Так, для α-фазы θα = 50 K в интервале 150 < T < 300 K, а β-фазы θβ = 150 K при T > 400 K. Температурная зависимость 1/χ характеризуется гистерезисом в районе температур 400–900 К, соответствующим границам существования β-фазы.

 

Рис. 2. Температурная зависимость магнитной восприимчивости Bi2(Sn0,9Ме0,1)2O7a – Me = Cr; б – Me = Fe. На вставках приведены температурные зависимости обратной восприимчивости

Fig. 2. The temperature dependence of the magnetic susceptibility of Bi2(Sn0,9Me0,1)2O7: a – Me = Cr; b – Me = Fe. The insets show the temperature dependences of the reciprocal susceptibilities

 

Магнитная восприимчивость в магнитном поле 600 Ое для Bi2(Sn0.9Fe0.1)2O7 проявляет парамагнитный характер и представлена на рис. 2, б. На вставке (рис. 2, б) показана температурная зависимость обратной магнитной восприимчивости, которая во всей температурной области удовлетворительно описывается законом Кюри – Вейсса 1/χ = (T – q) / C, где c – магнитная восприимчивость, q – парамагнитная температура Кюри, С – постоянная Кюри. Величина парамагнитной температуры имеет отрицательное значение Θ = –10 К. Используя формулу

μeff  = (8C / n)1/2,                                                                (1)

был определен эффективный магнитный момент Fe3+. Здесь C – постоянная Кюри; NA – постоянная Авогадро; n – количество ионов железа в Bi2(Sn0,9Fe0,1)2O7. Эффективный магнитный момент Fe3+ вычислен по уравнению (1) и равен μeff = 5,76μB. В пиростаннате висмута ионы Fe3+ находятся в высокоспиновом состоянии [35]. В соответствии с уравнением

µS = g(S(S + 1)µB)1/2,                                                          (2)

где S – спин Fe3+ = 5/2; g – фактор = 2, теоретическое значение эффективного магнитного момента μS = 5,92μB. Используя полученные экспериментальные данные магнитных характеристик, по формуле (2) рассчитан g – фактор для Bi2(Sn0,9Fe0,1)2O7, g = 1,95.

Экспериментальные данные показывают различное влияние замещающих ионов на магнитное обменное взаимодействие Bi2Sn2O7. Соединение Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 проявляет ферромагнитные свойства, а Bi2(Sn0,9Fe0,1)2O7 – антиферромагнитные. Такое различие связано с различной степенью заполнения электронных оболочек, у Cr3+ 4s0, а Fe3+ 4s2.

2.      Поляризация

Электрическая поляризация Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 линейно растет во внешнем электрическом поле, наблюдается гистерезис малой величины в a-фазе. При циклировании ширина гистерезиса линейно растет с ростом числа циклов. Полевые зависимости поляризации Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 для температур выше 400 К представлены на рис. 3, б. Диэлектрическая восприимчивость χ = P/ε0E, определенная в электрическом поле 800 V/cm, увеличивается при нагревании в a-фазе и обнаруживает максимум в области температуры перехода в состояние дипольного стекла (рис. 3, а). Для дипольных стекол характерен широкий максимум восприимчивости в области «замерзания» дипольных моментов и необратимое поведение восприимчивости при нагревании и охлаждении в электрическом поле.

 

Рис. 3. Температурная зависимость диэлектрической восприимчивости Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 (а); полевая зависимость поляризации Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 (б). Кривая 1 соответствует Т = 400 К с серебряными контактами, 2 – Т = 400 К, 3 – Т = 450 К, 4 – Т = 500 К. 2, 3, 4 – лаковые контакты

Fig. 3. Temperature dependence of the dielectric susceptibility of Bi2(Sn0.9Cr0.1)2O7 (a). The field dependence of the polarization of Bi2(Sn0.9Cr0.1)2O(b). Curve 1 corresponds to T = 400 K with silver contacts, 2 – T = 400 K, 3 – T = 450 K, 4 – T = 500 K. 2, 3, 4 – varnish contacts

 

Соединение Bi2(Sn1–хFeх)2O7 (х = 0,1) проявляет параэлектрические свойства, поляризация линейна до Т = 300 К и соответствует закону P = ε0 χE, где ε0 – диэлектрическая проницаемость; χ – восприимчивость; E – электрическое поле. С увеличением концентрации ионов железа, х = 0,2, пиростаннат висмута показывает симметричные петли гистерезиса во внешнем электрическом поле.

На рис. 4 показаны полевые зависимости поляризации при различных температурах в магнитном поле 12 kOe для Bi2(Sn1–хFeх)2O7, х = 0,2. На вставке (рис. 4) приведена полевая зависимость поляризации в магнитном поле Н = 0 и 12 kOe при Т = 160 К. Выше комнатной температуры электрическая поляризация возрастает в результате появления дополнительного вклада в виде миграционной электронной поляризации.

Делокализация дырок в α-фазе в окрестности замещающих ионов приводит к диффузии и накоплению заряда в ловушках на междукристаллических доменных границах. Под действием внешнего электрического поля носители тока диффундируют к поверхности домена и локализуются в ловушках. В результате межкристаллические границы становятся заряженными, что приводит к гистерезису поляризации и росту ширины петли гистерезиса. Образование заряженных границ и частичное экранирование приводит к неравномерному распределению потенциала по объему образца. В результате перестройки кристаллической структуры меняется плотность дефектов, например, понижается концентрация кислородных вакансий [37; 38] и индуцируется объемный заряд в образце.

 

Рис. 4. Полевая зависимость поляризации Bi2(Sn0,8Fe0,2)2O7 в магнитном поле Н = 12 kOe при различных температурах. Кривая 1 соответствует Т = 120 К, 2 – 160 К, 3 – 200 К, 4 – 280 К.

На вставке приведена полевая зависимость при Т = 160 К. Сплошная линия соответствует Н = 12 kOe, пунктирная – Н = 0

Fig. 4. Field dependence of the polarization of Bi2(Sn0.8Fe0.2)2O7 in a magnetic field H = 12 kOe at different temperatures. Curve 1 corresponds to Т = 120 K, 2 – 160 K, 3 – 200 K, 4 – 280 K. The inset shows the field dependence of the polarization at Т = 160 K. The solid line corresponds to Н = 12 kOe, the dashed line corresponds to Н = 0

 

В β-фазе выше Т = 400 К преобладает электронно-релаксационная поляризация. Этот вид поляризации характерен для твердых диэлектриков, содержащих дефекты или примесные ионы, способные захватывать электроны с образованием ловушек. Во внешнем электрическом поле будут происходить переходы ловушек в направлении поля и возникает электрическая поляризация. Наиболее вероятный механизм электронной поляризации связан с возникновением анионных вакансий при гетерогенном замещении ионов олова. Кислородные вакансии являются эквивалентными положительными зарядами, вблизи которых для их компенсации в соответствии с принципом электронейтральности локализуются квазисвободные электроны, обусловливающие тепловую электронную поляризацию.

Заключение

Установлено, что ионы Cr3+ и Fe3+ оказывают различное влияние на магнитные свойства: в Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 проявляются ферромагнитные обменные взаимодействия, а Bi2(Sn0,9Fe0,1)2O7 – антиферромагнитные.

В β-фазе Bi2(Sn0,9Cr0,1)2O7 установлен гистерезис поляризации, смещенный по оси поляризации. Ширина гистерезиса растет при нагревании.

Для Bi2(Sn0,8Fe0,2)2O7 найден нелинейный вид электрической поляризации от поля с отсутствием гистерезиса в β-фазе, что объясняется взаимодействием дипольной и миграционной поляризаций.

 

______________________________

* Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки, проект № 20-42-243002.

The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243002.

 

×

Об авторах

Любовь Викторовна Удод

Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: luba@iph.krasn.ru

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики

Россия, 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38

Максим Николаевич Ситников

Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН

Email: kineru@mail.ru

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики

Россия, 660036, Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38

Хишем Абдельбаки

Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева

Email: abdel.hichem@outlook.fr

аспирант кафедры физики

Россия, 660037, Красноярск, проспект имени газеты «Красноярский Рабочий», 31

Оксана Борисовна Романова

Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева

Email: rob@iph.krasn.ru

кандидат физико-математических наук, Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН

Россия, 660037, Красноярск, проспект имени газеты «Красноярский Рабочий», 31

Список литературы

  1. Влияние катионного замещения на кристаллическую структуру, магнитные и электрические свойства BiFe1-xMnxO3 (х = 0,05 и 0,15) / Т. Н. Тарасенко, В. И. Михайлов, З. Ф. Кравченко и др. // Известия РАН. Серия физическая. 2020. Т. 84, № 9. С. 1307–1309.
  2. Magnetoresistive effect in the cobalt-doped bismuth ferrite films / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, M. N. Sitnikov, L. V. Udod, et. al. // J. Materials Science: Materials in Electronics. 2020. Vol. 31. P. 7946. DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-020-03333-7.
  3. Low-temperature phase transition in bismuth ferrite films substituted by manganese / S. S. Aples-nin, A. N. Masyugin, U. I. Rybina, et. al. // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. 2020. Vоl. 822. P. 012021. doi: 10.1088/1757-899X/822/1/012021012021.
  4. Magnetoelectric effect in bismuth – neodymium ferrite – garnet films / A. N. Masyugin, S. S. Aplesnin, Y. Y. Loginov et. al. // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. 2020. Vol. 822. P. 012025. doi: 10.1088/1757-899X/822/1/012025.
  5. Regulating the BiMnxFe1-xO3 film conductivity upon cooling in magnetic and electric fields / S. S. Aplesnin, A. N. Masyugin, et. al. // Mater. Research Express. 2019. Vol. 6. P. 116125. DOI: doi.org/10.1088/2053-1591/ab4ec7.
  6. Магнитотранспортные эффекты и электронное фазовое расслоение в сульфидах марганца с электрон-дырочным допированием / О. Б. Романова, С. С. Аплеснин и др. // ЖЭТФ. 2021. Т. 159. С. 1–14. doi: 10.31857/S0044451021030000.
  7. Романова О. Б., Аплеснин C. C., Удод Л. В. Влияние электронного и дырочного допирования на транспортные характеристики халькогенидных систем // ФТТ. 2021. Т. 63. С. 606–609. doi: 10.21883/FTT.2021.05.50808.269.
  8. Аплеснин С. С., Янушкевич К. И. Изменение магнитосопротивления в халькогенидах марганца MnSe1–XTeX при переходе от объемных образцов к тонкопленочным // Сибирский журнал науки и технологий. 2020. Т. 21, № 2. С. 254–265. doi: 10.31772/2587-6066-2020-21-2-254-265.
  9. Magnetic Capacitance in Variable-Valence Manganese Sulfides / S. S. Aplesnin, A. M. Kharkov at. al. // Phys. Status Solidi B. 2020. Vol. 257. P. 1900637. doi: 10.1002/pssb.201900637.
  10. Magnetoresistance, magnetoimpedance, magnetothermopower, and photoconductivity in silver-doped manganese sulfides / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, L. V. Udod, et. al. // J. Appl. Phys. 2019. Vol. 125. P. 175706. DOI: https://doi: 10.1063/1.5085701.
  11. Aplesnin S. S., Kretinin V. V. Magnetoelectric Effect in a Paramagnetic Region in Gd0,15Mn0,85Se // Physics of the Solid State. 2019. Vol. 61, No. 8. P. 1379–1382. doi: 10.1134/S1063783419080067.
  12. Coexistence of the electric polarization and conductive current in the bismuth–neodymium ferrite garnet films / S. S. Aplesnin, A. N. Masyugin, M. N. Volochaev et al. // J Mater Sci: Mater Electron. 2021. Vol. 32. P. 3766–3781. DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-020-05121-9.
  13. Aplesnin S. S., Sitnikov M. N., Zhivul’ko A. M. Magnetocapacity in the Paramagnetic Region in a Cation-Substituted Manganese Selenide // Phys. Solid State. 2018. Vol. 60. P. 673–680.
  14. Влияние подложки на магнитоэлектрический эффект пленок висмутового ферритаграната с редкоземельным замещением / С. С. .Аплеснин, А. Н. Масюгин, М. Н. Ситников, T. Ишибаши // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 110. C. 204–212. DOI: https://doi.1134/S0370274X19150128.
  15. Greedan J. E. Geometrically frustrated magnetic materials // J. Mater. Chem. 2001. Vol. 11. P. 37.
  16. Metal-insulator transition and magnetic properties in disordered systems of solid solutions MexMn1–xS / G. A. Petrakovskii, G. V. Loseva, L. I. Ryabinkina, S. S. Aplesnin // JMMM. 1995. Vol. 140–144 (PART 1). P. 147–148.
  17. Aplesnin S. S. Influence of spin-phonon coupling on the magnetic moment in 2D spin-1/2 antiferromagnet // Phys. Lett. Section A: General, Atomic and Solid State Physics. 2003. Vol. 313 (1–2). P. 122–125.
  18. Aplesnin S. S. A study of anisotropic Heisenberg antiferromagnet with S = 1/2 on a square lattice by Monte-Carlo method // Phys. Status Solidi (B) Basic Research. 1998. Vol. 207 (2).P. 491–498.
  19. Aplesnin S. S. Monte?Carlo Study of Two?Dimensional Quantum Antiferromagnets with Random Anisotropies and Spin S = 1 // Physica Status Solidi (b). 1989. Vol. 153 (1). P. K79–K84.
  20. Order in the Heisenberg pyrochlore: The magnetic structure of Gd2Ti2O7 / J. D. M. Champion, A. S. Wills, T. Fennell at. al. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. P. 140407(R).
  21. Аплеснин С. С. Димеризация антиферромагнитных цепей с четырехспиновым взаимодействием // ФТТ. 1996. Т. 38 (6). С. 1031–1036.
  22. Aplesnin S. S. Quantum Monte Carlo analysis of the 2D Heisenberg antiferromagnet with S = 1/2: The influence of exchange anisotropy // Journal of Physics Condensed Matter. 1998. Vol. 10 (44). P. 10061–10065.
  23. Aplesnin S. S. Existence of massive singlet excitations in an antiferromagnetic alternating chain with // Phys. Rev. B – Conden. Matter and Materials Physics. 2000. Vol. 61 (10). P. 6780–6784.
  24. Аплеснин С. С. Неадиабатическое взаимодействие акустических фононов со спинами S = 1/2 в двумерной модели Гейзенберга // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2003. Т. 97 (5). С. 969–977.
  25. Aplesnin S. S., Moskvin A. I. Magnetic structures upon ordering of eg orbitals in a square lattice // Journal of Physics Condensed Matter. 2008. Vol. 20 (32). P. 325202.
  26. Aplesnin S. S. Two-dimensional quantum spin liquid with S = 1/2 spins interacting with acoustic phonons // Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics. 2004. Vol. 333 (5–6). P. 446–449.
  27. Bramwell S. T., Harris M. J. Frustration in Ising-type spin models on the pyrochlore lattice // J. Phys.: Cond. Matter. 1998. Vol. 10. P. 215.
  28. Crystal structure of the high-temperature superconductor TI2Ba2CaCu2O8 / M. A. Subramanian, J. C. Calabrese et. al. // Nature. 1988. Vol. 332. P. 420–422. doi: 10.1038/332420A0.
  29. Frustrated pyrochlore oxides, Y2Mn2O7, Ho2Mn2O7, and Yb2Mn2O7: Bulk magnetism and magnetic microstructure / J. E. Greedan, N. P. Raju et al. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 7189.
  30. Colossal Magnetoresistance Without Mn3+/Mn4+ Double Exchange in the Stoichiometric Pyrochlore Tl2Mn2O7 / M. A. Subramanian, B. H. Toby et al. // Science. 1996. Vol. 273. P. 81.
  31. Bi2(Sn0,95Cr0,05)2O7: Structure, IR spectra, and dielectric properties / S. S. Aplesnin, L. V. Udod, M. N. Sitnikov, N. P. Shestakov // Ceramics International. 2016. Vol. 42. P. 5177–5183.
  32. Aplesnin S. S., Udod L. V., Sitnikov M. N. Electronic transition, ferroelectric and thermoelectric properties of bismuth pyrostannate Bi2(Sn0,85Cr0,15)2O7 // Ceramics International. 2018. Vol. 44. P. 1614–1620.
  33. Dipole glass in chromium-substituted bismuth pyrostannate / S. S. Aplesnin, L. V. Udod, M. N. Sitnikov et al. // Mater. Res. Express. 2018. Vol. 5. P. 115202. DOI: https://doi.org/ 10.1088/2053-1591/aaddd934.
  34. Influence of cation substitution on dielectric and electric properties of bismuth stannates Bi2Sn1.9Me0.1O7 (Me=Cr, Mn) / S. S. Aplesnin, L. V. Udod, Y. Y. Loginov et al. // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. 2019. Vol. 467. P. 012014(5).
  35. Phase transitions in bismuth pyrostannate upon substitution of tin by iron ions / L. V. Udod, S. S. Aplesnin, M. N. Sitnikov et al. // J. All. Compound. 2019. Vol. 804. P. 281–287. DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.07.020.
  36. Magnetodielectric effect and spin state of iron ions in iron-substituted bismuth pyrostannate / L. Udod, S. Aplesnin, M. Sitnikov et al. // EPJP. 2020. Vol. 135. P. 776. DOI: https://doi.org/ 10.1140/epjp/s13360-020-00781-2.
  37. Relationship between Pyroelectric Properties and Electrode Sizes in (Pb, La)(Zr, Ti)O3 (PLZT) Thin Films / M. Kobune, H. Ishito, A. Mineshige, S. Fujii1, R. T. Tomozawa // J. Apl. Phys. 1998. Vol. 37. P. 5154.
  38. Reappraisal of the crystal chemistry of beryl / C. Aurisicchio, G. Fioravanti, O. Grubessi, P. F. Zanazzi // American Mineralogist. 1988. Vol. 73 (7). P. 826–837.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Кристаллическая структура

Скачать (146KB)
3. Рис. 2. Температурная зависимость магнитной восприимчивости

Скачать (100KB)
4. Рис. 3. Температурная зависимость диэлектрической восприимчивости

Скачать (196KB)

© Удод Л.В., Ситников М.Н., Абдельбаки Х., Романова О.Б., 2022

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах