Выпуск |
Название |
Файл |
Том 54, № 1 (2025) |
Пленки фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии |
 (Rus)
|
Бринкевич Д.И., Гринюк Е.В., Просолович В.С., Зубова О.А., Колос В.В., Бринкевич С.Д., Вабищевич С.А.
|
Том 54, № 1 (2025) |
Исследование режимов осаждения пленок Cu2O методом ВЧ магнетронного распыления для применения в структурах солнечных элементов |
 (Rus)
|
Саенко А.В., Жейц В.В., Вакулов З.Е., Смирнов В.А.
|
Том 54, № 1 (2025) |
Разработка и испытание технологической платформы атомно-слоевого осаждения для синтеза материалов микро- и наноэлектроники |
 (Rus)
|
Амашаев Р.Р., Исубгаджиев Ш.М., Рабаданов М.Х., Абдулагатов И.М.
|
Том 53, № 6 (2024) |
Параметры плазмы и кинетика травления Si/SiO2 в смесях фторуглеродных газов с аргоном и гелием |
 (Rus)
|
Ефремов А.М., Бетелин В.Б., Kwon K.-.
|
Том 53, № 6 (2024) |
Исследование проводимости углеродных нанотрубок, осажденных на подложку на основе силицида иридия-кремний |
 (Rus)
|
Керимов Э.А.
|
Том 53, № 5 (2024) |
Получение графена: осаждение и отжиг |
 (Rus)
|
Шустин Е.Г.
|
Том 53, № 4 (2024) |
Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi |
 (Rus)
|
Керимов Э.А.
|
Том 53, № 4 (2024) |
Микроструктура островковых пленок Al на Si(111) при магнетронном напылении: влияние температуры подложки |
 (Rus)
|
Ломов А.А., Захаров Д.М., Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Татаринцев А.А., Васильев А.Л.
|
Том 53, № 4 (2024) |
Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием |
 (Rus)
|
Мурин Д.Б., Чесноков И.А., Гогулев И.А., Анохин А.Л., Молоскин А.Е.
|
Том 53, № 2 (2024) |
Пульсации DC/DC преобразователя, построенного по SEPIC топологии |
 (Rus)
|
Битюков В.К., Лавренов А.И.
|
Том 53, № 2 (2024) |
Влияние примеси никеля на эксплуатационные параметры кремниевого солнечного элемента |
 (Rus)
|
Кенжаев З.Т., Зикриллаев Н.Ф., Оджаев В.Б., Исмайлов К.А., Просолович В.С., Зикриллаев Х.Ф., Ковешников С.В.
|
Том 53, № 2 (2024) |
Временные изменения механизмов токопрохождения в легированном эрбием пористом кремнии |
 (Rus)
|
Хамзин Э.Х., Услин Д.А.
|
Том 53, № 1 (2024) |
Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники |
 (Rus)
|
Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В.
|
Том 53, № 1 (2024) |
Особенности электроформовки и функционирования мемристоров
на основе открытых “сэндвич”-структур TiN–SiO2–Mo |
 (Rus)
|
Горлачев Е.С., Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е.
|
Том 53, № 1 (2024) |
Молекулярное наслаивание аддитивного слоя диоксида кремния на анодированные оксиды тантала и ниобия |
 (Rus)
|
Ежовский Ю.К., Михайловский С.В.
|
Том 53, № 1 (2024) |
Параметры и состав плазмы в смеси CF4 + H2 + Ar: эффект соотношения CF4/H2 |
 (Rus)
|
Мяконьких А.В., Кузьменко В.О., Ефремов А.М., Руденко К.В.
|
Том 53, № 1 (2024) |
Материалы для межсоединений интегральных схем с проектными нормами менее 5 нм |
 (Rus)
|
Рогожин А.Е., Глаз О.Г.
|
Том 52, № 5 (2023) |
Влияние материала электродов на электроформовку и свойства мемристоров на основе открытых “сэндвич”-структур металл–SiO2–металл |
 (Rus)
|
Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Наумов В.В., Горлачев Е.С.
|
Том 52, № 4 (2023) |
Влияние мощности магнетронного распыления на осаждение пленок ITO при комнатной температуре |
 (Rus)
|
Саенко А.В., Вакулов З.Е., Климин В.С., Билык Г.Е., Малюков С.П.
|
Том 52, № 4 (2023) |
Механизмы перераспределения углеродных загрязнений в пленках, сформированных методом атомно-слоевого осаждения |
 (Rus)
|
Фадеев А.В., Мяконьких А.В., Смирнова Е.А., Симакин С.Г., Руденко К.В.
|
Том 52, № 3 (2023) |
Плазма водорода в условиях электрон-циклотронного резонанса в технологии микроэлектроники |
 (Rus)
|
Полушкин Е.А., Нефедьев С.В., Ковальчук А.В., Солтанович О.А., Шаповал С.Ю.
|
1 - 21 из 21 результатов |
|