Нанотонкие пространственные диссипативные структуры с ротационным искривлением решётки вокруг трёх взаимно перпендикулярных направлений

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Методами просвечивающей электронной микроскопии и микродифракции исследованы нанотонкие пространственные диссипативные структуры (ПДС), полученные термоградиентной обработкой аморфной плёнки селена путём одностороннего нагрева её нижней поверхности при Т = 413 К. Установлено, что полученные нанотонкие ПДС гексагонального селена обладают специфическим искривлённым габитусом и нелинейной веерообразной системой изгибных контуров на их электронно-микроскопическом изображении; решётка нанотонких ПДС испытывает упругопластическое ротационное искривление вокруг трёх взаимно перпендикулярных направлений; углы ротации решётки нанотонких ПДС гексагонального селена достигают: вокруг [001] 25º, вокруг направления, перпендикулярного [001] и лежащего в плоскости аморфной плёнки, 32º, вокруг направления, перпендикулярного первым двум и не лежащего в плоскости аморфной пленки, 35º.

Об авторах

В. Б. Малков

Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук

Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620990, г. Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 22

Г. П. Швейкин

Институт химии твёрдого тела Уральского отделения Российской академии наук

Email: Plaksin@ihte.uran.ru

Академик РАН

Россия, 620990, Екатеринбург, ул. Первомайская, 91

С. В. Плаксин

Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620990, г. Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 22

В. Г. Пушин

Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук

Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620990, Свердловская область, г. Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, д.18

А. В. Малков

ЗАО НПЦ “Росна”

Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620137, г. Екатеринбург, ул. Студенческая, 9

О. В. Малков

ЗАО НПЦ “Росна”

Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620137, г. Екатеринбург, ул. Студенческая, 9

Б. В. Шульгин

"Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"

Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620000, г. Екатеринбург, пр. Ленина, 51

Список литературы

  1. Шкловский В.А., Кузьменко В.М. // Успехи физических наук. Взрывная кристаллизация аморфных веществ. 1989. Т. 157. Вып. 2. С. 311-338.
  2. Патент РФ 2 637 396. Способ получения диссипативных структур. / Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Малков А.В., Пушин В.Г., Шульгин Б.В., Малков О.В., Плаксин С.В. Опубл. 04.12.2017. Бюл. № 34.
  3. Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Пушин В.Г., Малков А.В., Малков О.В., Шульгин Б.В. Формирование диссипативных структур в аморфной плёнке // ДАН. 2018. Т. 478. № 5. С. 543-545.
  4. Квеглис Л.И., Кашкин В.Б. Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках / Сибирский федеральный университет: Проспект, 2015. 204 с.
  5. Хирш П. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов / Пер. с англ. под ред. Л.М. Утевского. М.: Мир, 1968. 574 с.
  6. Патент РФ 2 534 719. Способ диагностики реальной структуры кристаллов / Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Малков А.В., Пушин В.Г., Малков О.В., Шульгин Б.В. Опубл. 10.12.2014. Бюл. № 34.
  7. Дамаск А., Динс Дж. Точечные дефекты в металлах / Пер. с англ. Темкина Д.Е. и Эстрина Э.И., под ред. Любова Б.Я. М.: Мир, 1966. 283 с.
  8. Вайнштейн Б.К., Звягин Б.Б. Об отражении в обратном пространстве симметрии обратной решетки //Кристаллография. 1963. Т. 8. Вып. 2. С. 147-157.
  9. Асхабов А.М. Кристаллогенезис и эволюция системы “кристалл-среда” / Отв. ред. академик РАН Н.П. Юшкин. Санкт-Петербург: Наука, 1993. 154 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2019