Нанотонкие пространственные диссипативные структуры с ротационным искривлением решётки вокруг трёх взаимно перпендикулярных направлений
- Авторы: Малков В.Б.1, Швейкин Г.П.2, Плаксин С.В.1, Пушин В.Г.3, Малков А.В.4, Малков О.В.4, Шульгин Б.В.5
-
Учреждения:
- Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук
- Институт химии твёрдого тела Уральского отделения Российской академии наук
- Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
- ЗАО НПЦ “Росна”
- "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"
- Выпуск: Том 488, № 6 (2019)
- Страницы: 619-623
- Раздел: Физическая химия
- URL: https://journals.eco-vector.com/0869-5652/article/view/17722
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0869-56524886619-623
- ID: 17722
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Методами просвечивающей электронной микроскопии и микродифракции исследованы нанотонкие пространственные диссипативные структуры (ПДС), полученные термоградиентной обработкой аморфной плёнки селена путём одностороннего нагрева её нижней поверхности при Т = 413 К. Установлено, что полученные нанотонкие ПДС гексагонального селена обладают специфическим искривлённым габитусом и нелинейной веерообразной системой изгибных контуров на их электронно-микроскопическом изображении; решётка нанотонких ПДС испытывает упругопластическое ротационное искривление вокруг трёх взаимно перпендикулярных направлений; углы ротации решётки нанотонких ПДС гексагонального селена достигают: вокруг [001] 25º, вокруг направления, перпендикулярного [001] и лежащего в плоскости аморфной плёнки, 32º, вокруг направления, перпендикулярного первым двум и не лежащего в плоскости аморфной пленки, 35º.
Ключевые слова
Об авторах
В. Б. Малков
Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук
Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620990, г. Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 22
Г. П. Швейкин
Институт химии твёрдого тела Уральского отделения Российской академии наук
Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Академик РАН
Россия, 620990, Екатеринбург, ул. Первомайская, 91С. В. Плаксин
Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук
Автор, ответственный за переписку.
Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620990, г. Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 22
В. Г. Пушин
Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620990, Свердловская область, г. Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, д.18
А. В. Малков
ЗАО НПЦ “Росна”
Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620137, г. Екатеринбург, ул. Студенческая, 9
О. В. Малков
ЗАО НПЦ “Росна”
Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620137, г. Екатеринбург, ул. Студенческая, 9
Б. В. Шульгин
"Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"
Email: Plaksin@ihte.uran.ru
Россия, 620000, г. Екатеринбург, пр. Ленина, 51
Список литературы
- Шкловский В.А., Кузьменко В.М. // Успехи физических наук. Взрывная кристаллизация аморфных веществ. 1989. Т. 157. Вып. 2. С. 311-338.
- Патент РФ 2 637 396. Способ получения диссипативных структур. / Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Малков А.В., Пушин В.Г., Шульгин Б.В., Малков О.В., Плаксин С.В. Опубл. 04.12.2017. Бюл. № 34.
- Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Пушин В.Г., Малков А.В., Малков О.В., Шульгин Б.В. Формирование диссипативных структур в аморфной плёнке // ДАН. 2018. Т. 478. № 5. С. 543-545.
- Квеглис Л.И., Кашкин В.Б. Диссипативные структуры в тонких нанокристаллических пленках / Сибирский федеральный университет: Проспект, 2015. 204 с.
- Хирш П. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов / Пер. с англ. под ред. Л.М. Утевского. М.: Мир, 1968. 574 с.
- Патент РФ 2 534 719. Способ диагностики реальной структуры кристаллов / Малков В.Б., Николаенко И.В., Швейкин Г.П., Малков А.В., Пушин В.Г., Малков О.В., Шульгин Б.В. Опубл. 10.12.2014. Бюл. № 34.
- Дамаск А., Динс Дж. Точечные дефекты в металлах / Пер. с англ. Темкина Д.Е. и Эстрина Э.И., под ред. Любова Б.Я. М.: Мир, 1966. 283 с.
- Вайнштейн Б.К., Звягин Б.Б. Об отражении в обратном пространстве симметрии обратной решетки //Кристаллография. 1963. Т. 8. Вып. 2. С. 147-157.
- Асхабов А.М. Кристаллогенезис и эволюция системы “кристалл-среда” / Отв. ред. академик РАН Н.П. Юшкин. Санкт-Петербург: Наука, 1993. 154 с.
Дополнительные файлы
