MEMS RF / microwave switches. Part 1

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

The article considers MEMS RF / microwave switches. Information is provided on the features and characteristics of various types of such devices produced by a number of manufacturers.

Негізгі сөздер

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

V. Kochemasov

ООО «Радиокомп»

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vkochemasov@radiocomp.ru

к.т.н., генеральный директор

Ресей

E. Torina

НИУ «МЭИ»

Email: drozdovaym@mpei.ru

к.т.н., доцент

Ресей

A. Safin

ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Email: asafin@gmail.com

д.ф.-м-н., в.н.с.

Ресей

Әдебиет тізімі

  1. Сысоева С. МЭМС-технологии. Простое и доступное решение сложных системных задач // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2009. №. 7. С. 80–89.
  2. Шурыгина В. Долгожданные МЭМС. Технология малых форм // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2002. №. 4. С. 8–13.
  3. Кочемасов В. Электромеханические переключатели ВЧ/СВЧ-сигналов – основные типы и производители // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2016. №7. С. 114–121, № 8. С. 96–106, №9. С. 128–134.
  4. https://www.analog.com/en/technical-articles/fundamentals-adi-revolutionary-mems-switch-technology.html [Электронный ресурс] Дата обращения: 08.12.2023
  5. Кочемасов В., Майстренко А. СВЧ-переключатели на основе МЭМС // СВЧ-электроника. 2016. № 1. С. 36–42.
  6. https://www.radiocomp.ru/joom/images/storage/docs/broshure/RadantMems2012.pdf [Электронный ресурс] Дата обращения: 08.12.2023
  7. Rebeiz G.M., Patel C.D., Han S.K. et al. The search for a reliable MEMS switch // IEEE microwave magazine. 2013. V. 14. No. 1. PP. 57–67.
  8. Iannacci J. RF-MEMS technology for high-performance passives. Chapter 1 // IOP Publishing, 2017. 39 p.
  9. Шурыгина В. Радиочастотные МЭМС + КМОП. Отработанная технология, готовая к часу пик. Части 1, 2 // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2014. № 2, 3.
  10. Rebeiz G.M., Muldavin J.B. RF MEMS switches and switch circuits // IEEE Microwave magazine. 2001. V. 2. No. 4. PP. 59–71.
  11. Шурыгина В. В поисках стандартов МЭМС. Фермеры против ковбоев // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2013. № 3. С. 119–126.
  12. https://www.tronics.tdk.com [Электронный ресурс] Дата обращения: 08.12.2023
  13. https://www.delfmems.com/press_release/delfmems-announces-its-breakthrough-sp12t-rf-mems-ohmic-switch-has-passed-one-billion/ [Электронный ресурс] Дата обращения: 08.12.2023
  14. Maciel J. J., Lampen J. L., Taylor E. W. Gamma-ray irradiation of ohmic MEMS switches // Nanophotonics and Macrophotonics for Space Environments VI. SPIE. 2012. V. 8519. PP. 2–10.
  15. The most Reliable MEMS Switches Devices in the World. RF MEMS Switches and Product Catalog, 2013, PP. 1–59.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Example of a transceiver supporting different frequency ranges

Жүктеу (218KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Simplified image of a MEMS switch with capacitive (a) and resistive (b) contacts

Жүктеу (106KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. DelfMEMS electromechanical diaphragm type actuator

Жүктеу (54KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Insertion losses in DelfMEMS SP12T MEMS PCs and PPPPKs

Жүктеу (121KB)
Метадеректер
6. Fig. 5. Third-order intermodulation products in PPPPK and MEMS PCs

Жүктеу (62KB)
Метадеректер
7. Fig. 6. Housing variants of Radant MEMS products: a - RMSW101 (SPST); b - RMSW220HP (SPDT); c - RMSW240 (SP4T); d - RMSW260 (SP6T); e - products a - d, produced in QFN-cases.

Жүктеу (353KB)
Метадеректер
8. Fig. 7. Simplified structure of a cantilever MEMS switch with electrostatic actuator: a - switch open; b - switch closed

Жүктеу (68KB)
Метадеректер
9. Fig. 8. Simplified designations of switches: a - SPST; b - SPDT; c - SP4T; d - SP6T

Жүктеу (122KB)
Метадеректер
10. Fig. 9. Debugging boards for MEMS switches: a - SPST RMSW100HP/RMSW200HP; b - SPDT RMSW221; c - SP4T RMSW240; d - SP6T RMSW260.

Жүктеу (828KB)
Метадеректер
11. Fig. 10. Insertion loss IL(f); channel-to-channel decoupling Iso(f) and return loss RL(f) for the SP6T switch RMSW60 as part of the RMSW260-EV12 debug board

Жүктеу (158KB)
Метадеректер
12. Fig. 11. Dependences of insertion attenuation on frequency before and after radiation exposure

Жүктеу (101KB)
Метадеректер

© Kochemasov V., Torina E., Safin A., 2024