Силовые и СВЧ-транзисторы на основе нитрида галлия от АО «НИИЭТ»: доступные решения и перспективы

В Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года нитрид-галлиевая (GaN) технология внесена в ключевое направление «Научно-техническое развитие». Эта технология – одна из наиболее перспективных в области создания силовой и СВЧ ЭКБ, и ее развитие в стране крайне важно со стратегической точки зрения. В статье приводятся преимущества GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники, некоторые сведения об истории ее развития, текущем состоянии и перспективах, данные о возможностях и планах АО «НИИЭТ» (входит в Группу компаний «Элемент») по производству GaN-компонентов и характеристики ряда силовых и СВЧ-транзисторов разработки и производства предприятия.