GaN power and microwave transistors by NIIET JSC: existing solutions and prospects

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

The article covers advantages of GaN technology for power and microwave electronics, some data on its development history, current state and prospects, as well as information about capabilities and plans of NIIET JSC (an “Element” Group company) regarding GaN parts production and characteristics of a number of the company’s power and microwave transistors.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

I. Semeykin

АО «НИИЭТ»

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: kys@electronics.ru

кандидат технических наук, технический директор

Ресей, 394033, Воронеж

Әдебиет тізімі

  1. Ahmad M. A brief history of gallium nitride (GaN) semiconductors. Блог EDN. May 23, 2023. https://www.edn.com/a-brief-history-of-gallium-nitride-gan-semiconductors/
  2. Лебедев А. А., Челноков В. Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники. Физика и техника полупроводников. 1999. Том 33. Вып. 9. С. 1096–1099.
  3. Вороненков В. В., Бочкарева Н. И., Вирко М. В. и др. Подложки нитрида галлия: современное состояние, проблемы и перспективы. Международный форум «Микроэлектроника-2016», 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули». Сборник докладов. Республика Крым. Алушта. 26–30 сентября 2016 г. НАНОИНДУСТРИЯ. Спецвыпуск. 2017. № (74). С. 478–483.
  4. RF GaN Market – Global Industry Analysis and Forecast (2024-2030). Сайт Maximize Market Research. Jun 2024. https://www.maximizemarketresearch.com/market-report/global-rf-gan-market/65313/

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Semeykin I., 2024