Enviar artigo por via de e-mail GaN power and microwave transistors by NIIET JSC: existing solutions and prospects
- Autores: Semeykin I.1
-
Afiliações:
- АО «НИИЭТ»
- Edição: Nº 9 (2024)
- Páginas: 56-62
- Seção: Electronic components
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/642429
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62
- ID: 642429
Citar
Texto integral
Acesso aberto
Acesso está concedido
Acesso é pago ou somente para assinantes
Resumo
The article covers advantages of GaN technology for power and microwave electronics, some data on its development history, current state and prospects, as well as information about capabilities and plans of NIIET JSC (an “Element” Group company) regarding GaN parts production and characteristics of a number of the company’s power and microwave transistors.
Texto integral
Sobre autores
I. Semeykin
АО «НИИЭТ»
Autor responsável pela correspondência
Email: kys@electronics.ru
кандидат технических наук, технический директор
Rússia, 394033, ВоронежBibliografia
- Ahmad M. A brief history of gallium nitride (GaN) semiconductors. Блог EDN. May 23, 2023. https://www.edn.com/a-brief-history-of-gallium-nitride-gan-semiconductors/
- Лебедев А. А., Челноков В. Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники. Физика и техника полупроводников. 1999. Том 33. Вып. 9. С. 1096–1099.
- Вороненков В. В., Бочкарева Н. И., Вирко М. В. и др. Подложки нитрида галлия: современное состояние, проблемы и перспективы. Международный форум «Микроэлектроника-2016», 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули». Сборник докладов. Республика Крым. Алушта. 26–30 сентября 2016 г. НАНОИНДУСТРИЯ. Спецвыпуск. 2017. № (74). С. 478–483.
- RF GaN Market – Global Industry Analysis and Forecast (2024-2030). Сайт Maximize Market Research. Jun 2024. https://www.maximizemarketresearch.com/market-report/global-rf-gan-market/65313/
Arquivos suplementares
