电邮这篇文章 GaN power and microwave transistors by NIIET JSC: existing solutions and prospects
- 作者: Semeykin I.1
-
隶属关系:
- АО «НИИЭТ»
- 期: 编号 9 (2024)
- 页面: 56-62
- 栏目: Electronic components
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/642429
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62
- ID: 642429
如何引用文章
开放存取
##reader.subscriptionAccessGranted##
详细
The article covers advantages of GaN technology for power and microwave electronics, some data on its development history, current state and prospects, as well as information about capabilities and plans of NIIET JSC (an “Element” Group company) regarding GaN parts production and characteristics of a number of the company’s power and microwave transistors.
全文:
作者简介
I. Semeykin
АО «НИИЭТ»
编辑信件的主要联系方式.
Email: kys@electronics.ru
кандидат технических наук, технический директор
俄罗斯联邦, 394033, Воронеж参考
- Ahmad M. A brief history of gallium nitride (GaN) semiconductors. Блог EDN. May 23, 2023. https://www.edn.com/a-brief-history-of-gallium-nitride-gan-semiconductors/
- Лебедев А. А., Челноков В. Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники. Физика и техника полупроводников. 1999. Том 33. Вып. 9. С. 1096–1099.
- Вороненков В. В., Бочкарева Н. И., Вирко М. В. и др. Подложки нитрида галлия: современное состояние, проблемы и перспективы. Международный форум «Микроэлектроника-2016», 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули». Сборник докладов. Республика Крым. Алушта. 26–30 сентября 2016 г. НАНОИНДУСТРИЯ. Спецвыпуск. 2017. № (74). С. 478–483.
- RF GaN Market – Global Industry Analysis and Forecast (2024-2030). Сайт Maximize Market Research. Jun 2024. https://www.maximizemarketresearch.com/market-report/global-rf-gan-market/65313/
补充文件
