Применение метода Давидона – Флетчера – Пауэлла для нахождения параметров заданного профиля концентрации при ионном легировании

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Статья посвящена применению метода Давидона – Флетчера – Пауэлла для поиска минимума целевой функции при расчете параметров профиля концентрации при ионном легировании. Разработанная программа продемонстрировала высокую эффективность в определении оптимальных параметров, подтверждая адекватность подхода для решения поставленной задачи.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

П. Кузнецов

АО «ГосНИИП»

Автор, ответственный за переписку.
Email: ps_kuznetsov@mail.ru

к.т.н., заместитель начальника комплекса

Россия, 129226, г. Москва, проспект Мира, 125

Список литературы

  1. Анищик В. М., Углов В. В. Модификация инструментальных материалов ионными и плазменными пучками // Минск: БГУ, 2003. 191 с.
  2. Гридчин А. В. Введение в современную микро- и наносистемную технику: учебное пособие // Москва; Вологда: Инфра-инженерия, 2024. 232 с.
  3. Воротынцев В. М., Скупов В. Д. Базовые технологии микро- и наноэлектроники: учебное пособие. М.: Проспект, 2019. 519 с.
  4. Родионов Ю. А. Технологические процессы в микро- и наноэлектронике: учебное пособие. М.; Вологда: Инфра-Инженерия, 2019. 352 с.
  5. Pocaterra M., Ciappa M. TCAD investigation of the transport of carriers deposited by alpha particles in silicon carbide power Schottky devices // Microelectronics Reliability 126 (2021). 114317. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114317.
  6. Zhang S., Liu Y., Lv S., Cheng J. Surface modification of polymers by ion irradiation: reactivity principle and application // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Volume 543, October 2023, 165097. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2023.165097.
  7. Yin R., Li C., Zhang B. et. al. Physical mechanism of field modulation effects in ion implanted edge termination of vertical GaN Schottky barrier diodes // Fundamental Research 2 (2022). PP. 629–634. https://doi.org/10.1016/j.fmre.2021.11.027.
  8. Magalhaes S., Mateus R., Dias M. et. al. Modelling the strain build-up in nitrogen implanted tungsten films on silicon substrates // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 537 (2023). PP. 81–87. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2023.02.006.
  9. Jiménez-Riobóo R.J., Gordillo N., Andrés A. et. al. Boron-doped diamond by 9 MeV microbeam implantation: damage and recovery // Microelectronics Reliability 126 (2021). 114317. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2023.04.004.
  10. Lerat J.-F., Desrues T., Perchec J. et. al. Boron emitter formation by plasma immersion ion implantation in n-type PERT silicon solar cells // Energy Procedia 92 (2016). PP. 697–701. https://doi.org/10.1016/j.egypro.2016.07.046.
  11. Yamaguchi N., Müller, R. Reichel C. et. al. Plasma immersion ion implantation for tunnel oxide passivated contact in silicon solar cell // Solar Energy Materials & Solar Cells 268 (2024). 112730. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2024.112730.
  12. Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. - 360 с.
  13. Biersack J.P. Calculation of projected ranges − analytical solutions and a simple general algorithm // Nuclear Instruments and Methods, Volumes 182–183, Part 1, 15 April–1 May 1981. PP. 199−206. https://doi.org/10.1016/0029-554X(81)90688-1.
  14. Холодкова Н. В., Смирнов С. А. Математическое моделирование технологических процессов: учеб. пособие. Иван. гос. хим.-технол. ун-т. Иваново, 2019. 88 с.
  15. Быкадырова Г.В., Ткачев А.Ю., Бормонотов Е.Н., Битюцкая Л.А. Приборнотехнологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники. Воронеж: Издательский дом ВГУ, 2016. 120 с.
  16. Смирнов В. И. Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие. Ульяновск: УлГТУ, 2005. 112 с.
  17. Mlazi N. J., Mayengo M., Lyakurwa G., Kichonge B. Mathematical modeling and extraction of parameters of solar photovoltaic module based on modified Newton – Raphson method // Results in Physics 57 (2024) 107364. https://doi.org/10.1016/j.rinp.2024.107364.
  18. Банди Б. Методы оптимизации: вводный курс. М.: Радио и связь, 1988. 128 с.
  19. Bundgaard-Nielsen M., Rønø P. E. A modified Davidon-Fletcher-Powell method for minimizing a function // The Chemical Engineering Journal, Vol. 5, Issue 1, 1973. PP. 103–106. https://doi.org/10.1016/0300-9467(73)85012-9.
  20. Fang B., Zhen Y.-X., Zhang C.-P., Tang Y. Nonlinear vibration analysis of double-walled carbon nanotubes based on nonlocal elasticity theory // Applied Mathematical Modelling 37 (2013). PP. 1096–1107. http://dx.doi.org/10.1016/j.apm.2012.03.032

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Схематическое изображение численной модели для имплантации в многослойные структуры

Скачать (152KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Блок-схема алгоритма оптимизации методом Давидона – Флетчера – Пауэлла [18]

Скачать (191KB)
Метаданные

© Кузнецов П., 2025