Email this article GaN power and microwave transistors by NIIET JSC: existing solutions and prospects
- Authors: Semeykin I.1
-
Affiliations:
- АО «НИИЭТ»
- Issue: No 9 (2024)
- Pages: 56-62
- Section: Electronic components
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/642429
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62
- ID: 642429
Cite item
Open Access
Access granted
Abstract
The article covers advantages of GaN technology for power and microwave electronics, some data on its development history, current state and prospects, as well as information about capabilities and plans of NIIET JSC (an “Element” Group company) regarding GaN parts production and characteristics of a number of the company’s power and microwave transistors.
Full Text
About the authors
I. Semeykin
АО «НИИЭТ»
Author for correspondence.
Email: kys@electronics.ru
кандидат технических наук, технический директор
Russian Federation, 394033, ВоронежReferences
- Ahmad M. A brief history of gallium nitride (GaN) semiconductors. Блог EDN. May 23, 2023. https://www.edn.com/a-brief-history-of-gallium-nitride-gan-semiconductors/
- Лебедев А. А., Челноков В. Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники. Физика и техника полупроводников. 1999. Том 33. Вып. 9. С. 1096–1099.
- Вороненков В. В., Бочкарева Н. И., Вирко М. В. и др. Подложки нитрида галлия: современное состояние, проблемы и перспективы. Международный форум «Микроэлектроника-2016», 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули». Сборник докладов. Республика Крым. Алушта. 26–30 сентября 2016 г. НАНОИНДУСТРИЯ. Спецвыпуск. 2017. № (74). С. 478–483.
- RF GaN Market – Global Industry Analysis and Forecast (2024-2030). Сайт Maximize Market Research. Jun 2024. https://www.maximizemarketresearch.com/market-report/global-rf-gan-market/65313/
Supplementary files
