Features of measuring the MIS-HEMT DIE-package thermal resistance

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

The article describes the method and equipment for measuring the die-package thermal resistance of normally open MIS-HEMT, and discusses the implementation features of this method.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

A. Strogonov

Воронежский государственный технический университет

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: andreistrogonov@mail.ru

д.т.н., профессор кафедры твердотельной электроники

Ресей, Воронеж

M. Kharchenko

Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г. Ф. Морозова; АО «ВЗПП-С»

Email: harchenko@vzpp-s.ru
Ресей, Воронеж; Воронеж

A. Khanin

Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г. Ф. Морозова; АО «ВЗПП-С»

Email: cool.hanin@yandex.ru
Ресей, Воронеж; Воронеж

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
2. Fig. 1. Heat dissipation from the transistor crystal

Жүктеу (131KB)
3. Fig. 2. Circuit diagram of the transistor for determining the PMT

Жүктеу (41KB)
4. Fig. 3. Dependence of the open channel voltage on temperature

Жүктеу (63KB)
5. Fig. 4. Schematic diagram of the tooling for measuring the thermal resistance "crystal - case"

Жүктеу (62KB)

© Strogonov A., Kharchenko M., Khanin A., 2023