电邮这篇文章 Features of measuring the MIS-HEMT DIE-package thermal resistance
- 作者: Strogonov A.1, Kharchenko M.2,3, Khanin A.2,3
-
隶属关系:
- Воронежский государственный технический университет
- Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г. Ф. Морозова
- АО «ВЗПП-С»
- 期: 编号 8 (2023)
- 页面: 38-41
- 栏目: Test and measurement
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/632248
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.229.8.38.41
- ID: 632248
如何引用文章
开放存取
##reader.subscriptionAccessGranted##
详细
The article describes the method and equipment for measuring the die-package thermal resistance of normally open MIS-HEMT, and discusses the implementation features of this method.
全文:
作者简介
A. Strogonov
Воронежский государственный технический университет
编辑信件的主要联系方式.
Email: andreistrogonov@mail.ru
д.т.н., профессор кафедры твердотельной электроники
俄罗斯联邦, ВоронежM. Kharchenko
Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г. Ф. Морозова; АО «ВЗПП-С»
Email: harchenko@vzpp-s.ru
俄罗斯联邦, Воронеж; Воронеж
A. Khanin
Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г. Ф. Морозова; АО «ВЗПП-С»
Email: cool.hanin@yandex.ru
俄罗斯联邦, Воронеж; Воронеж
补充文件
附件文件
动作
1.
JATS XML
2.
Fig. 1. Heat dissipation from the transistor crystal
下载 (131KB)
3.
Fig. 2. Circuit diagram of the transistor for determining the PMT
下载 (41KB)
4.
Fig. 3. Dependence of the open channel voltage on temperature
下载 (63KB)
5.
Fig. 4. Schematic diagram of the tooling for measuring the thermal resistance "crystal - case"
下载 (62KB)
