Enviar artigo por via de e-mail LDMOS: the new products by NIIET JSC
- Autores: Alekseev R.1, Semeykin I.1, Tsotsorin A.1, Kurshev P.1
-
Afiliações:
- АО «НИИЭТ»
- Edição: Nº 2 (223) (2023)
- Páginas: 92-96
- Seção: Electronic components
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/629220
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.223.2.92.96
- ID: 629220
Citar
Texto integral
Acesso aberto
Acesso está concedido
Acesso é pago ou somente para assinantes
Resumo
The article provides information about LDMOS process improvements at NIIET JSC, as well as about new microwave transistors under development by the company which are based on this technology and designed for DVB-T / DVB-T2 TV equipment.
Palavras-chave
Texto integral
Sobre autores
R. Alekseev
АО «НИИЭТ»
Autor responsável pela correspondência
Email: redactor@electronics.ru
ведущий инженер
RússiaI. Semeykin
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
к. т. н., технический директор
RússiaA. Tsotsorin
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
к. ф.-м. н., начальник отдела
RússiaP. Kurshev
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
начальник лаборатории
RússiaBibliografia
- Combs A. Application Note AN-007: A Comparative Review of GaN, LDMOS, and GaAs for RF and Microwave Applications // NuWaves Engineering // https://nuwaves.com/wp-content/uploads/2020/08/AN-007-A-Comparative-Review-of-GaN-LDMOS-and-GaAs-for-RF-and-Microwave-Applications.pdf
- Joosting J.-P. Why LDMOS is the best technology for RF energy // eeNews Wireless. Technology News. 2018. June 21. // https://www.eenewseurope.com/en/why-ldmos-is-the-best-technology-for-rf-energy/
- Dhanyal H. R. et al. Miniaturized High-Efficiency Pulsed-Power Amplifier for Surveillance and Tracking Radar // 2020 5th International Conference on Computer and Communication Systems (ICCCS). – IEEE, 2020. PP. 840–843.
- Theeuwen S. et al. LDMOS technology for power amplifiers up to 12 GHz // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC). – IEEE, 2018. PP. 162–165.
- Алексеев Р., Цоцорин А., Черных М. Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы для рабочих частот до 3 ГГц // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2020. № 4. С. 98–100.
- Алексеев Р., Куршев П., Цоцорин А. Влияние многослойного полевого электрода на степень выраженности эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088–1092.
Arquivos suplementares
