电邮这篇文章 LDMOS: the new products by NIIET JSC
- 作者: Alekseev R.1, Semeykin I.1, Tsotsorin A.1, Kurshev P.1
-
隶属关系:
- АО «НИИЭТ»
- 期: 编号 2 (223) (2023)
- 页面: 92-96
- 栏目: Electronic components
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/629220
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.223.2.92.96
- ID: 629220
如何引用文章
开放存取
##reader.subscriptionAccessGranted##
详细
The article provides information about LDMOS process improvements at NIIET JSC, as well as about new microwave transistors under development by the company which are based on this technology and designed for DVB-T / DVB-T2 TV equipment.
全文:
作者简介
R. Alekseev
АО «НИИЭТ»
编辑信件的主要联系方式.
Email: redactor@electronics.ru
ведущий инженер
俄罗斯联邦I. Semeykin
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
к. т. н., технический директор
俄罗斯联邦A. Tsotsorin
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
к. ф.-м. н., начальник отдела
俄罗斯联邦P. Kurshev
АО «НИИЭТ»
Email: redactor@electronics.ru
начальник лаборатории
俄罗斯联邦参考
- Combs A. Application Note AN-007: A Comparative Review of GaN, LDMOS, and GaAs for RF and Microwave Applications // NuWaves Engineering // https://nuwaves.com/wp-content/uploads/2020/08/AN-007-A-Comparative-Review-of-GaN-LDMOS-and-GaAs-for-RF-and-Microwave-Applications.pdf
- Joosting J.-P. Why LDMOS is the best technology for RF energy // eeNews Wireless. Technology News. 2018. June 21. // https://www.eenewseurope.com/en/why-ldmos-is-the-best-technology-for-rf-energy/
- Dhanyal H. R. et al. Miniaturized High-Efficiency Pulsed-Power Amplifier for Surveillance and Tracking Radar // 2020 5th International Conference on Computer and Communication Systems (ICCCS). – IEEE, 2020. PP. 840–843.
- Theeuwen S. et al. LDMOS technology for power amplifiers up to 12 GHz // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC). – IEEE, 2018. PP. 162–165.
- Алексеев Р., Цоцорин А., Черных М. Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы для рабочих частот до 3 ГГц // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2020. № 4. С. 98–100.
- Алексеев Р., Куршев П., Цоцорин А. Влияние многослойного полевого электрода на степень выраженности эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088–1092.
补充文件
