Methods for predicting ic durability based on parametric failures

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

The article discusses the main methodological approaches adopted in foreign and domestic engineering schools in the field of predicting the durability of integrated circuits based on parametric failures.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

A. Strogonov

Воронежский государственный технический университет

Autor responsável pela correspondência
Email: andreistrogonov@mail.ru

профессор кафедры твердотельной электроники

Rússia

Bibliografia

  1. Ушаков И.А. Вероятностные модели надежности информационно-вычислительных систем. М.: Радио и связь, 1991. 132 с.
  2. Барлоу Р., Прошан Ф. Математическая теория надежности / Пер. с англ.; под ред. Б.В. Гнеденко. М.: Сов. радио, 1969. 537 с.
  3. Барлоу Р., Прошан Ф. Статистическая теория надежности и испытания на безотказность / Пер. с англ. И.А. Ушакова. М.: Наука, 1984. 452 с.
  4. Строгонов А.В. Характеристики надежности современных ПЛИС // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2019. № 4. С. 52–58.
  5. Соколов В.И. Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация) // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29. С. 842.
  6. Горин Б.М., Кив А.Е, Плотникова Л.Г. и др. Механизмы естественного старения и вынужденной деградации полупроводниковых приборов // Обзоры по электронной техники, 1983. 57 с. Серия «Полупроводниковые приборы».
  7. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С. и др. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Радио и связь, 1990. 184 с.
  8. Алексанян И.Т., Черняев Н.В. Обобщенная модель надежности изделий // Известия вузов. Электроника. 1998. № 1. C. 85–90.
  9. Алексанян И.Т., Черняев Н.В. Выражения для основных количественных показателей надежности в физико- статистическом подходе // Петербургский журнал электроники. 1994. № 1. C. 56–58.
  10. Алексанян И.Т., Черняев Н.В. Метод изучения надежности интегральных микросхем // Микроэлектроника. 1992. Вып. 2. Т. 21. C. 105–111.
  11. Алексанян И.Т., Черняев Н.В. Управление надежностью интегральных микросхем на основе информационной избыточности // Известия вузов. Электроника. 1998. № 7. C. 62–66.
  12. Малков Я.В. Диагностика деградационных процессов в полупроводниковых структурах с позиций междисциплинарных теорий // Зарубежная радиоэлектроника. 1996. № 5. C. 77–82.
  13. Дубицкий Л.Г. Предвестники отказов в изделиях электронной техники. М.: Радио и связь, 1989. 96 с.
  14. Сыноров В.Ф., Пивоварова Р.П. Параметрическая надежность и физические модели отказов интегральных схем. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1983. 152 с.
  15. Погребинский С.Б., Стрельников В.П. Проектирование и надежность многопроцессорных ЭВМ. М.: Радио и связь, 1988. 168 с.
  16. Стрельников В.П. Вероятностно-физические методы исследования надежности машин и аппаратуры // Надежность и контроль качества. 1989. № 9. С. 3–7.
  17. Алексанян И.Т., Кривошапко В.М., Романов А.А. Построение модели параметрической надежности ИС по данным о деградации их характеристик и имитация испытаний на ЭВМ // Электронная техника. 1979. Вып. 1. С. 15–19. Серия «Микроэлектроника».
  18. Алексанян И.Т., Кривошапко В.М. Моделирование параметрических отказов и изучение надежности интегральных схем // Электронная техника. 1981. Вып. 4. С. 52–57. Серия «Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания».
  19. Кожевников В.С., Матюшкинa И.В., Черняев Н.В. Анализ основного уравнения физико-статистического подхода теории надежности технических систем // Математические основы и численные методы моделирования. 2020. Т. 12. № 4. С. 721–735.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
2. Fig.1. Scheme of the potential relief that determines the evolution of the defect structure during the operation of a semiconductor device

Baixar (20KB)

Declaração de direitos autorais © Strogonov A., 2024