Основные механизмы воздействия специальных факторов на полупроводниковую структуру

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

В статье описаны эффекты деградации электрических и параметрических показателей полупроводниковых структур при воздействии ионизирующего излучения. Приведена классификация обратимых и необратимых радиационных эффектов. Результатом работы является теоретическая модель физики взаимодействия специальных факторов с полупроводниковой структурой.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Д. Селин

АО «Российские космические системы»

Автор, ответственный за переписку.
Email: selin.ds@spacecorp.ru

инженер-исследователь

Россия

Список литературы

  1. Tan H., Zhang L., Tan R., Dong P. A Deep Insight Into the Ionizing Radiation Effects and Mechanisms on the Dynamic Characteristics of SiC MOSFETs // IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, i. 2, pp. 1145-1152, February. 2024. doi: 10.1109/TED.2023.3342768.
  2. Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. M.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. С. 234.
  3. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. 256 с.
  4. Яненко А.В. и др. Сравнительный анализ испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц на лазерных имитаторах и ускорителях ионов // Спецтехника и связь. 2011. № 4–5. С. 4–7.
  5. Darwish H., Andary J., Arnildi-Meadows B., Artz O., Baudot J., Bertolone G., Besson A., Bialas N., Bugiel R., Claus G. Tolerance of the MIMOSIS-1 CMOS Monolithic Active Pixel Sensor to ionizing radiation // Journal of Instrumentation., vol. 18, no. 6, C06013. June. 2023. doi: 10.1088/1748-0221/18/06/C06013.
  6. Ладыгин Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. Советское радио, 1980.
  7. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978.
  8. Горлов М.И., Данилин Н.С. Физические основы надежности интегральных схем: Учебное пособие. М.: МАКС Пресс, 2008. 404 с.
  9. Жданкин В. Радиационно-стойкие высоковольтные интегральные микросхемы драйверов для управления затворами MOSFET/IGBT-транзисторов // Компоненты и технологии. 2012. № 4 (129). С. 147–152.
  10. Басков П.Б. и др. Ядерно-оптические преобразователи для детектирования сильных нейтронных полей // Известия высших учебных заведений. Ядерная энергетика. 2021. № 4. С. 122–134.
  11. Калинина Е.В. и др. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 10. С. 1223–1227.
  12. Girones V., Boch J., Carapelle A., Chapon A., Maraine T., Labau T., Saigne F., Garcia Alia R. The use of high energy X-ray generators for TID testing of electronic devices. IEEE Transactions on Nuclear Science. vol. 70, i. 8, pp. 1982-1989, August. 2023. doi: 10.1109/TNS.2023.3279626.
  13. Schwank J.R. Total dose effects in MOS devices // IEEE NSREC Short Course Notes. Phoenix (Arizon, USA), 2002. P. III – 1 – III – 123.
  14. Kholodnov V.A. The Possibility of Fundamentally New Profile Photoelectric Effects in Semiconductors // Journal of Communications Technology and Electronics. vol. 67, no. 3, pp. 340-343, April. 2022. DOI: https:// doi.org/10.1134/S1064226922030068.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Классификация специальных факторов

Скачать (154KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Иллюстрация Комптоновского рассеяния

Скачать (140KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Иллюстрация фотоэлектрического эффекта

Скачать (118KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Иллюстрация Комптоновского эффекта

Скачать (100KB)
Метаданные
6. Рис. 5. Иллюстрация образования электронно-позитронных пар

Скачать (103KB)
Метаданные

© Селин Д., 2024