Basic mechanisms of influence of special factors on the semiconductor structure

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅或者付费存取

详细

The article describes the effects of degradation of electrical and parametric indicators of semiconductor structures when exposed to ionizing radiation. A classification of reversible and irreversible radiation effects is given. The result of the work is a theoretical model of the physics of the interaction of special factors with the semiconductor structure.

全文:

受限制的访问

作者简介

D. Selin

АО «Российские космические системы»

编辑信件的主要联系方式.
Email: selin.ds@spacecorp.ru

инженер-исследователь

俄罗斯联邦

参考

  1. Tan H., Zhang L., Tan R., Dong P. A Deep Insight Into the Ionizing Radiation Effects and Mechanisms on the Dynamic Characteristics of SiC MOSFETs // IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, i. 2, pp. 1145-1152, February. 2024. doi: 10.1109/TED.2023.3342768.
  2. Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. M.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. С. 234.
  3. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. 256 с.
  4. Яненко А.В. и др. Сравнительный анализ испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц на лазерных имитаторах и ускорителях ионов // Спецтехника и связь. 2011. № 4–5. С. 4–7.
  5. Darwish H., Andary J., Arnildi-Meadows B., Artz O., Baudot J., Bertolone G., Besson A., Bialas N., Bugiel R., Claus G. Tolerance of the MIMOSIS-1 CMOS Monolithic Active Pixel Sensor to ionizing radiation // Journal of Instrumentation., vol. 18, no. 6, C06013. June. 2023. doi: 10.1088/1748-0221/18/06/C06013.
  6. Ладыгин Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. Советское радио, 1980.
  7. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978.
  8. Горлов М.И., Данилин Н.С. Физические основы надежности интегральных схем: Учебное пособие. М.: МАКС Пресс, 2008. 404 с.
  9. Жданкин В. Радиационно-стойкие высоковольтные интегральные микросхемы драйверов для управления затворами MOSFET/IGBT-транзисторов // Компоненты и технологии. 2012. № 4 (129). С. 147–152.
  10. Басков П.Б. и др. Ядерно-оптические преобразователи для детектирования сильных нейтронных полей // Известия высших учебных заведений. Ядерная энергетика. 2021. № 4. С. 122–134.
  11. Калинина Е.В. и др. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 10. С. 1223–1227.
  12. Girones V., Boch J., Carapelle A., Chapon A., Maraine T., Labau T., Saigne F., Garcia Alia R. The use of high energy X-ray generators for TID testing of electronic devices. IEEE Transactions on Nuclear Science. vol. 70, i. 8, pp. 1982-1989, August. 2023. doi: 10.1109/TNS.2023.3279626.
  13. Schwank J.R. Total dose effects in MOS devices // IEEE NSREC Short Course Notes. Phoenix (Arizon, USA), 2002. P. III – 1 – III – 123.
  14. Kholodnov V.A. The Possibility of Fundamentally New Profile Photoelectric Effects in Semiconductors // Journal of Communications Technology and Electronics. vol. 67, no. 3, pp. 340-343, April. 2022. DOI: https:// doi.org/10.1134/S1064226922030068.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2. Fig. 1. Classification of special factors

下载 (154KB)
索引源数据
3. Fig. 2. Illustration of Compton scattering

下载 (140KB)
索引源数据
4. Fig. 3. Illustration of the photoelectric effect

下载 (118KB)
索引源数据
5. Fig. 4. Illustration of the Compton effect

下载 (100KB)
索引源数据
6. Fig. 5. Illustration of the formation of electron-positron pairs

下载 (103KB)
索引源数据

版权所有 © Selin D., 2024