Basic mechanisms of influence of special factors on the semiconductor structure

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

The article describes the effects of degradation of electrical and parametric indicators of semiconductor structures when exposed to ionizing radiation. A classification of reversible and irreversible radiation effects is given. The result of the work is a theoretical model of the physics of the interaction of special factors with the semiconductor structure.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

D. Selin

АО «Российские космические системы»

Autor responsável pela correspondência
Email: selin.ds@spacecorp.ru

инженер-исследователь

Rússia

Bibliografia

  1. Tan H., Zhang L., Tan R., Dong P. A Deep Insight Into the Ionizing Radiation Effects and Mechanisms on the Dynamic Characteristics of SiC MOSFETs // IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, i. 2, pp. 1145-1152, February. 2024. doi: 10.1109/TED.2023.3342768.
  2. Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. M.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. С. 234.
  3. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. 256 с.
  4. Яненко А.В. и др. Сравнительный анализ испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц на лазерных имитаторах и ускорителях ионов // Спецтехника и связь. 2011. № 4–5. С. 4–7.
  5. Darwish H., Andary J., Arnildi-Meadows B., Artz O., Baudot J., Bertolone G., Besson A., Bialas N., Bugiel R., Claus G. Tolerance of the MIMOSIS-1 CMOS Monolithic Active Pixel Sensor to ionizing radiation // Journal of Instrumentation., vol. 18, no. 6, C06013. June. 2023. doi: 10.1088/1748-0221/18/06/C06013.
  6. Ладыгин Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. Советское радио, 1980.
  7. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978.
  8. Горлов М.И., Данилин Н.С. Физические основы надежности интегральных схем: Учебное пособие. М.: МАКС Пресс, 2008. 404 с.
  9. Жданкин В. Радиационно-стойкие высоковольтные интегральные микросхемы драйверов для управления затворами MOSFET/IGBT-транзисторов // Компоненты и технологии. 2012. № 4 (129). С. 147–152.
  10. Басков П.Б. и др. Ядерно-оптические преобразователи для детектирования сильных нейтронных полей // Известия высших учебных заведений. Ядерная энергетика. 2021. № 4. С. 122–134.
  11. Калинина Е.В. и др. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 10. С. 1223–1227.
  12. Girones V., Boch J., Carapelle A., Chapon A., Maraine T., Labau T., Saigne F., Garcia Alia R. The use of high energy X-ray generators for TID testing of electronic devices. IEEE Transactions on Nuclear Science. vol. 70, i. 8, pp. 1982-1989, August. 2023. doi: 10.1109/TNS.2023.3279626.
  13. Schwank J.R. Total dose effects in MOS devices // IEEE NSREC Short Course Notes. Phoenix (Arizon, USA), 2002. P. III – 1 – III – 123.
  14. Kholodnov V.A. The Possibility of Fundamentally New Profile Photoelectric Effects in Semiconductors // Journal of Communications Technology and Electronics. vol. 67, no. 3, pp. 340-343, April. 2022. DOI: https:// doi.org/10.1134/S1064226922030068.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar
2. Fig. 1. Classification of special factors

Baixar (154KB)
Metadados
3. Fig. 2. Illustration of Compton scattering

Baixar (140KB)
Metadados
4. Fig. 3. Illustration of the photoelectric effect

Baixar (118KB)
Metadados
5. Fig. 4. Illustration of the Compton effect

Baixar (100KB)
Metadados
6. Fig. 5. Illustration of the formation of electron-positron pairs

Baixar (103KB)
Metadados

Declaração de direitos autorais © Selin D., 2024