Отправить статью по E-mail Исследование мемристорных структур на основе оксидов меди и олова
- Авторы: Пермяков Д.1, Строгонов А.1
-
Учреждения:
- Воронежский государственный технический университет
- Выпуск: № 7 (228) (2023)
- Страницы: 184-190
- Раздел: Микро- и наноструктуры
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/632116
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2023.228.7.184.190
- ID: 632116
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
В статье описан способ формирования мемристорной структуры методом спрей-пиролиза оксида олова и электрохимического осаждения оксида меди. Обсуждаются результаты измерения электрических характеристик полученного мемристора, проанализированы факторы, влияющие на воспроизводимость его свойств.
Ключевые слова
Полный текст
Об авторах
Д. Пермяков
Воронежский государственный технический университет
Автор, ответственный за переписку.
Email: Dima.P.S@yandex.ru
аспирант кафедры твердотельной электроники
Россия, ВоронежА. Строгонов
Воронежский государственный технический университет
Email: andreistrogonov@mail.ru
профессор кафедры твердотельной электроники
Россия, ВоронежСписок литературы
- Marani R., Gelao G., Perri A. G. A Review On Memristor Applications // Italian National Research Council, 2015.
- Muhammad K. Review on Various Memristor Models, Characteristics, Potential Applications, and Future Works // Trans. Electr. Electron. Mater. 2019. V.20, no. 4. PP. 289–298.
- Moreira E. N., Kendall J., Maruyama H., Nino J. C. Simplified sol-gel processing method for amorphous TiOx Memristors // Journal of Electroceramics. 2020. V. 44. PP. 52–58.
- OrtegaReyes L., AvilaGarcia A. Memristors based on thermal copper oxide // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2020. V. 31. PP. 7445–7454.
- Chen S., Noori S., Villena M. A. Memristive Electronic Synapses Made by Anodic Oxidation // Chem. Mater. 2019. V. 31, no. 20. PP. 8394–8401.
- Dongale D. T., Mohite S. V., Bagade A. A. Development of Ag/WO3/ITO Thin Film Memristor Using Spray Pyrolysis Method // Electron. Mater. Lett. 2015. V. 30, no. 35, PP. 1–5.
- Ali S., Khan S., Khan A. Memristor Fabrication Through Printing // IEEE Access. 2021. V. 9. PP. 95970–95985.
- Yazdanparast S. Resistance switching of electrodeposited cuprous oxide. Doctoral Dissertations. 2424, 2015.
- Mohammad B., Jaoude M. A., Kumar V. State of the art of metal oxide memristor devices // Nanotechnol Rev. 2016. V. 5, no. 3. PP. 311–329.
- Насыров К. А., Гриценко В. А. Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических пленках УФН. 2013. Т. 183. С. 1099–1114.
- Гудков А., Гогин А., Кик М. Мемристоры – новый тип элементов резистивной памяти для наноэлектроники // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2014. № 9.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Рентгеновская дифракция пленки SnO2
Скачать (392KB)
3.
Рис. 2. Рентгеновская дифракция пленки Cu2O
Скачать (309KB)
4.
Рис. 3. Мемристор на основе SnO2 : Sb /Cu2O/Ag: а – структура; б – зонная диаграмма
Скачать (194KB)
5.
Рис. 4. Гистерезис мемристора SnO2 / Cu2O / Ag
Скачать (160KB)
6.
Рис. 5. Зависимость HRS: а – в координатах ln(J) (ln(А / см2)) от F (В / м); б – в координатах ln(F / J) (ln(А ∙ см−2 ∙ В−1 ∙ м)) от F1 / 2 (В1 / 2 / м1 / 2)
Скачать (329KB)
