Отправить статью по E-mail ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ПЕРЕНОС И НАКОПЛЕНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В РАСТУЩЕМ КРИСТАЛЛЕ
- Авторы: Логинов ЮЮ1, Ленченко ВМ1, Мозжерин АВ1
-
Учреждения:
- Выпуск: Том 10, № 4 (2009)
- Страницы: 120-124
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.eco-vector.com/2712-8970/article/view/508618
- ID: 508618
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0 <х <1 системы «расплав - растущий кристалл» представлены в виде выражения j « aC(0)-bC(l), в котором а иЪ определены через скорости переноса ПА (конвективную - ос, дрейфовую - urf и термодиффузионную - uj соответственно в расплаве - (af Ъ), в кристалле -(а, Ъ), а также на границе раздела фаз - (а . Ъ ). Из условия квазистационарности процесса роста найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков и определен общий коэффициент рас-
Cs Cl
. Полученное выражение
пределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка K
для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка - и , градиента температур (через uj и силовых полей (через x>J) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле.
Cs Cl
. Полученное выражение
пределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка K
для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка - и , градиента температур (через uj и силовых полей (через x>J) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле.
Ключевые слова
Список литературы
- Handbook of Crystal Growth. Vol. 2: Bulk Crystal Growth / ed. by D. T. J. Hurle. Amsterdam : North-Holland Elsevier Science Publishers, 1994.
- Kasap, S. O. Principles of Electronic Materials and Devices / S. O. Kasap. New York : McGraw-Hill, 2002.
- Voronkov, V. V. The mechanism of swirle defects formation in silicon / V V Voronkov // J. Cryst. Growth. 1982. V 59. P. 625-643.
Дополнительные файлы
