AVALANCHE MULTIPLICATION AND RADIATIVE RECOMBINATION OF CARRIERS IN SILICON SOLAR CELLS


Cite item

Full Text

Abstract

The paper defines the conditions for acceleration of carriers in semiconductors to the shock-ionization energies in a strong electric field of limited length and describes the generation and recombination processes of avalanche multiplication and recombination in microplasma that arise in the reverse-biased p-n-junction solar cells. This is a physical Justification for diagnosis of microdefects in semiconductors with the help of microplasma.

References

  1. Грехов И. В. Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия. Ленингр. отделение, 1980.
  2. Ленченко В. М., Логинов Ю. Ю., Турчин П. П. Выявление микродефектов на поверхности полупроводниковых пластин с помощью микроплазм // Кремний-2007: материалы IV. Рос. конф. по физике, материаловедению и физ.-хим. основам технологии получения легирован. кристаллов кремния и прибор. структур на их основе / Моск. ин-т стали и сплавов. М., 2007. С. 107-108.
  3. Логинов Ю. Ю., Браун П. Д., Дьюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках. М.: Логос, 2003.
  4. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977.
  5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.
  6. Ленченко В. М. Эстафетная модель лавинных процессов в p-n-переходах // Вестн. Краснояр. гос. ун-та. Сер. «Физико -математические науки». 2004. № 5. С. 52-61.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2010 Lenchenko V.M., Loginov Y.Y., Mozzherin A.V., Lenchenko V.M., Loginov Y.Y., Mozzherin A.V.

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies