AVALANCHE MULTIPLICATION AND RADIATIVE RECOMBINATION OF CARRIERS IN SILICON SOLAR CELLS


Citar

Texto integral

Resumo

The paper defines the conditions for acceleration of carriers in semiconductors to the shock-ionization energies in a strong electric field of limited length and describes the generation and recombination processes of avalanche multiplication and recombination in microplasma that arise in the reverse-biased p-n-junction solar cells. This is a physical Justification for diagnosis of microdefects in semiconductors with the help of microplasma.

Bibliografia

  1. Грехов И. В. Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия. Ленингр. отделение, 1980.
  2. Ленченко В. М., Логинов Ю. Ю., Турчин П. П. Выявление микродефектов на поверхности полупроводниковых пластин с помощью микроплазм // Кремний-2007: материалы IV. Рос. конф. по физике, материаловедению и физ.-хим. основам технологии получения легирован. кристаллов кремния и прибор. структур на их основе / Моск. ин-т стали и сплавов. М., 2007. С. 107-108.
  3. Логинов Ю. Ю., Браун П. Д., Дьюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках. М.: Логос, 2003.
  4. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977.
  5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.
  6. Ленченко В. М. Эстафетная модель лавинных процессов в p-n-переходах // Вестн. Краснояр. гос. ун-та. Сер. «Физико -математические науки». 2004. № 5. С. 52-61.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Lenchenko V.M., Loginov Y.Y., Mozzherin A.V., Lenchenko V.M., Loginov Y.Y., Mozzherin A.V., 2010

Creative Commons License
Este artigo é disponível sob a Licença Creative Commons Atribuição 4.0 Internacional.

Este site utiliza cookies

Ao continuar usando nosso site, você concorda com o procedimento de cookies que mantêm o site funcionando normalmente.

Informação sobre cookies