ЛАВИННОЕ УМНОЖЕНИЕ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ


Цитировать

Полный текст

Аннотация

Определены условия ускорения носителей тока в полупроводниках до ударно-ионизационных энергий в сильных электрических полях ограниченной протяженности. Описаны генерационно-рекомбинационные процессы лавинного умножения и излучательной рекомбинации в виде микроплазм, возникающих в обратно смещенных р- п-переходах солнечных элементов. Представлено физическое обоснование диагностики микродефектов в полупроводниках с помощью микроплазм.

Об авторах

В М Ленченко

Сибирский федеральный университет

кандидат физико-математических наук, доцент, профессор Сибирского федерального университета. Окончил Среднеазиатский государственный университет в 1951 г. Область научных интересов - физика полупроводников, структура твердых; Сибирский федеральный университет

Ю Ю Логинов

Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева

Email: loginov@sibsau.ru
доктор физико-математических наук, профессор, проректор по научно-инновационной деятельности и коммерциализации разработок Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М. Ф. Решетнева. Окончил Красноярский государственный университет в 1976 г. Область научных интересов - физика полупроводников, структурные дефекты кристаллов; Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева

А В Мозжерин

Сибирский федеральный университет

аспирант Сибирского федерального университета. Окончил Сибирский федеральный университет в 2008 г. Область научных интересов - физика полупроводников, структурные дефекты в кристаллах; Сибирский федеральный университет

V M Lenchenko

Yu Yu Loginov

A V Mozzherin

Список литературы

  1. Грехов И. В. Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия. Ленингр. отделение, 1980.
  2. Ленченко В. М., Логинов Ю. Ю., Турчин П. П. Выявление микродефектов на поверхности полупроводниковых пластин с помощью микроплазм // Кремний-2007: материалы IV. Рос. конф. по физике, материаловедению и физ.-хим. основам технологии получения легирован. кристаллов кремния и прибор. структур на их основе / Моск. ин-т стали и сплавов. М., 2007. С. 107-108.
  3. Логинов Ю. Ю., Браун П. Д., Дьюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках. М.: Логос, 2003.
  4. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977.
  5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.
  6. Ленченко В. М. Эстафетная модель лавинных процессов в p-n-переходах // Вестн. Краснояр. гос. ун-та. Сер. «Физико -математические науки». 2004. № 5. С. 52-61.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Ленченко В.М., Логинов Ю.Ю., Мозжерин А.В., Lenchenko V.M., Loginov Y.Y., Mozzherin A.V., 2010

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.