电邮这篇文章 AVALANCHE MULTIPLICATION AND RADIATIVE RECOMBINATION OF CARRIERS IN SILICON SOLAR CELLS
- 作者: Lenchenko VM1, Loginov Y.Y.1, Mozzherin AV1, Lenchenko VM1, Loginov Y.Y.1, Mozzherin AV1
-
隶属关系:
- 期: 卷 11, 编号 4 (2010)
- 页面: 11-14
- 栏目: Articles
- ##submission.datePublished##: 15.04.2010
- URL: https://journals.eco-vector.com/2712-8970/article/view/504853
- ID: 504853
如何引用文章
全文:
详细
The paper defines the conditions for acceleration of carriers in semiconductors to the shock-ionization energies in a strong electric field of limited length and describes the generation and recombination processes of avalanche multiplication and recombination in microplasma that arise in the reverse-biased p-n-junction solar cells. This is a physical Justification for diagnosis of microdefects in semiconductors with the help of microplasma.
参考
- Грехов И. В. Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия. Ленингр. отделение, 1980.
- Ленченко В. М., Логинов Ю. Ю., Турчин П. П. Выявление микродефектов на поверхности полупроводниковых пластин с помощью микроплазм // Кремний-2007: материалы IV. Рос. конф. по физике, материаловедению и физ.-хим. основам технологии получения легирован. кристаллов кремния и прибор. структур на их основе / Моск. ин-т стали и сплавов. М., 2007. С. 107-108.
- Логинов Ю. Ю., Браун П. Д., Дьюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках. М.: Логос, 2003.
- Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.
- Ленченко В. М. Эстафетная модель лавинных процессов в p-n-переходах // Вестн. Краснояр. гос. ун-та. Сер. «Физико -математические науки». 2004. № 5. С. 52-61.
补充文件
