ВЛИЯНИЯ ПОДВИЖНОГО ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО ЗАРЯДАНА ЭЛЕКТРОННУЮ ПРОВОДИМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИКАС НЕОДНОРОДНОЙ БЛОКИРУЮЩЕЙ ГРАНИЦЕЙ
- Авторы: Перов Г.В.1, Сединин В.И.2
-
Учреждения:
- Сибирский государственный университеа телекоммуникаций и информатики
- Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
- Выпуск: Том 10, № 2 (2009)
- Страницы: 59-61
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.eco-vector.com/2712-8970/article/view/504906
- ID: 504906
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Рассматривается влияние заряда подвижных ионов на электронную проводимость диэлектрика с неоднородной блокирующей границей раздела. На основе установленной корреляции между проводимостью и величиной подвижного заряда диэлектрика сформулированы основные положения модели поведения подвижного заряда в окисле на поликристаллическом кремнии (ОПк) с шероховатой блокирующей границей.
Об авторах
Геннадий Васильевич Перов
Сибирский государственный университеа телекоммуникаций и информатики
Email: mef@ngs.ru
кандидат технических наук, доцент кафедры систем автоматизированного проектирования; Сибирский государственный университеа телекоммуникаций и информатики
Валерий Иванович Сединин
Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
Email: sedvi@bk.ru
заведующий кафедрой систем автоматизированного проектирования; Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
Список литературы
- Lee, H. S. High electric field generated electron traps in oxide grown from polycrystalline silicon / H. S. Lee // Appl. Phys. Lett. 1980. Vol. 37, № 12. P. 1080-1082.
- Groesneken, G. A quantation model for the conductionin oxides thermally grown polycristallyne silicon / G. Groesneken, H. E. Maes // IEEE Trans. on El. Dev . 1986. Vol. ED-33, № 7. P. 1028-1042.
- Сальман, Е. Г. Изучение процессов образования и переноса заряда в слоях двуокиси кремния на кремнии / Е . Г. Сальман, В. Н. Вертопрахов, В. С. Данилович. ЦИОНТПИК Деп.вВИНИТИ: №558-76. Новосибирск, 1975.
- Salman, E. G. Thermally stimulated depolarisation current controlled by surface charge change / E. G. Salman, V . N. V ertoprakhov // Phys. Stat. Sol. 1988. V ol. 1008, № 2. P . 625-630.