ВЛИЯНИЯ ПОДВИЖНОГО ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО ЗАРЯДАНА ЭЛЕКТРОННУЮ ПРОВОДИМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИКАС НЕОДНОРОДНОЙ БЛОКИРУЮЩЕЙ ГРАНИЦЕЙ

  • Авторы: Перов Г.В.1, Сединин В.И.2
  • Учреждения:
    1. Сибирский государственный университеа телекоммуникаций и информатики
    2. Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
  • Выпуск: Том 10, № 2 (2009)
  • Страницы: 59-61
  • Раздел: Статьи
  • URL: https://journals.eco-vector.com/2712-8970/article/view/504906
  • ID: 504906

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Рассматривается влияние заряда подвижных ионов на электронную проводимость диэлектрика с неоднородной блокирующей границей раздела. На основе установленной корреляции между проводимостью и величиной подвижного заряда диэлектрика сформулированы основные положения модели поведения подвижного заряда в окисле на поликристаллическом кремнии (ОПк) с шероховатой блокирующей границей.

Об авторах

Геннадий Васильевич Перов

Сибирский государственный университеа телекоммуникаций и информатики

Email: mef@ngs.ru
кандидат технических наук, доцент кафедры систем автоматизированного проектирования; Сибирский государственный университеа телекоммуникаций и информатики

Валерий Иванович Сединин

Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики

Email: sedvi@bk.ru
заведующий кафедрой систем автоматизированного проектирования; Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики

Список литературы

  1. Lee, H. S. High electric field generated electron traps in oxide grown from polycrystalline silicon / H. S. Lee // Appl. Phys. Lett. 1980. Vol. 37, № 12. P. 1080-1082.
  2. Groesneken, G. A quantation model for the conductionin oxides thermally grown polycristallyne silicon / G. Groesneken, H. E. Maes // IEEE Trans. on El. Dev . 1986. Vol. ED-33, № 7. P. 1028-1042.
  3. Сальман, Е. Г. Изучение процессов образования и переноса заряда в слоях двуокиси кремния на кремнии / Е . Г. Сальман, В. Н. Вертопрахов, В. С. Данилович. ЦИОНТПИК Деп.вВИНИТИ: №558-76. Новосибирск, 1975.
  4. Salman, E. G. Thermally stimulated depolarisation current controlled by surface charge change / E. G. Salman, V . N. V ertoprakhov // Phys. Stat. Sol. 1988. V ol. 1008, № 2. P . 625-630.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Перов Г.В., Сединин В.И., 2009

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах