The influence of mobile positive charge on electronic conductivity of dielectric with heterogeneous blocking border


Цитировать

Полный текст

Аннотация

The correlation between the size of a positive mobile charge and electronic conductivity of oxide on polycrystalline silicon is established with the help of experimental method of thermally stimulated polarization and depolarization of MIS-structures. The boundary conditions of a problem for the working model of behavior of a mobile charge in isolating layers generated on a rough semiconductor film are formulated.

Об авторах

G V Perov

V I Sedinin

Список литературы

  1. Han Sheng Lee. High electric field generated electron traps in oxide grown from polycrystalline silicon/Han Sheng Lee //Appl. Phys. Lett. 1980. Vol. 37. № 12. P. 1080-1082.
  2. Groesneken, G. Aquantationmodelforthe conduction in oxides thermally grown polycrystalline silicon / G. Groesneken, H.E.Maes//IEEE Trans. on El. Dev. 1986. Vol. ED-33. №. 7. P. 1028-1042.
  3. Сальман, Е. Г. Изучение процессов образования и переноса заряда в слоях двуокиси кремния на кремнии / Е. Г. Сальман, В. Н. Вертопрахов, В. С. Данилович. ЦИОНТ ПИК. Деп. в ВИНИТИ: № 558-76. Новосибирск, 1975.
  4. Salman, E. G. Thermally stimulated depolarization current controlled by surface charge change /E.G. Salman, V N. Vertoprakhov // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. Vol. 1008. № 2. P. 625-630

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Perov G.V., Sedinin V.I., 2009

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах