Stability and reproducibility evaluation of the technological process of metallization through a removable mask

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

Based on statistical processing of experimental data, the article presents the stability and reproducibility evaluation of the technological process of two-layer metallization of lithium niobate crystals through a metal removable mask by electron beam evaporation.

Full Text

Restricted Access

About the authors

O. Pochtar

АО «УПКБ «Деталь»

Author for correspondence.
Email: oleg_p20@mail.ru

инженер-технолог 3 категории – руководитель группы

Russian Federation

A. Pochtar

АО «УПКБ «Деталь»

Email: ananpochtar@gmail.com

начальник сектора

Russian Federation

References

  1. Иванов А., Смирнов Б. Электронно-лучевое напыление: технология и оборудование // НАНОИНДУСТРИЯ. 2012. № 6 (36). С. 28–34.
  2. Локтев Д. А. Статистическое управление производственными процессами – ключ к успеху современного промышленного предприятия // Известия МГТУ «МАМИ». 2014. № 1(19), т. 2. С. 128–136.
  3. Уилер Д., Чамберс Д. Статистическое управление процессами. Оптимизация бизнеса с использованием контрольных карт Шухарта / Пер. с англ., 2-е изд. М.: Альпина Паблишер, 2016. 582 с.
  4. ГОСТ Р ИСО 7870-2-2015. Статистические методы. Контрольные карты Шухарта. Ч. 2. М., 2015. 46 с.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2. Fig.1. The end surface of a crystal with a formed metallization topology

Download (10KB)
3. Fig.2. Scheme of the crystal metallization process through a free mask (not to scale)

Download (16KB)
4. Fig.3. Shewhart control chart with designated control limits for the amount of dust on one side of the gap: A – limits ±3σ; B – limits ±2σ; C – limits ±σ; MO – mathematical expectation

Download (25KB)
5. Fig.4. Shewhart control chart with designated control limits for the modulus of the sliding range of the amount of dust deposited on one side of the gap: A – limits ±3σ; B – limits ±2σ; C – limits ±σ; MO – mathematical expectation

Download (25KB)
6. Fig.5. Shewhart control charts for individual gap width values with designated control limits: UNPLx – upper control limit; CLx – central line (mathematical expectation); LNPLx – lower control limit

Download (28KB)

Copyright (c) 2023 Pochtar O., Pochtar A.

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies