Stability and reproducibility evaluation of the technological process of metallization through a removable mask

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

Based on statistical processing of experimental data, the article presents the stability and reproducibility evaluation of the technological process of two-layer metallization of lithium niobate crystals through a metal removable mask by electron beam evaporation.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

O. Pochtar

АО «УПКБ «Деталь»

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: oleg_p20@mail.ru

инженер-технолог 3 категории – руководитель группы

Ресей

A. Pochtar

АО «УПКБ «Деталь»

Email: ananpochtar@gmail.com

начальник сектора

Ресей

Әдебиет тізімі

  1. Иванов А., Смирнов Б. Электронно-лучевое напыление: технология и оборудование // НАНОИНДУСТРИЯ. 2012. № 6 (36). С. 28–34.
  2. Локтев Д. А. Статистическое управление производственными процессами – ключ к успеху современного промышленного предприятия // Известия МГТУ «МАМИ». 2014. № 1(19), т. 2. С. 128–136.
  3. Уилер Д., Чамберс Д. Статистическое управление процессами. Оптимизация бизнеса с использованием контрольных карт Шухарта / Пер. с англ., 2-е изд. М.: Альпина Паблишер, 2016. 582 с.
  4. ГОСТ Р ИСО 7870-2-2015. Статистические методы. Контрольные карты Шухарта. Ч. 2. М., 2015. 46 с.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
2. Fig.1. The end surface of a crystal with a formed metallization topology

Жүктеу (10KB)
3. Fig.2. Scheme of the crystal metallization process through a free mask (not to scale)

Жүктеу (16KB)
4. Fig.3. Shewhart control chart with designated control limits for the amount of dust on one side of the gap: A – limits ±3σ; B – limits ±2σ; C – limits ±σ; MO – mathematical expectation

Жүктеу (25KB)
5. Fig.4. Shewhart control chart with designated control limits for the modulus of the sliding range of the amount of dust deposited on one side of the gap: A – limits ±3σ; B – limits ±2σ; C – limits ±σ; MO – mathematical expectation

Жүктеу (25KB)
6. Fig.5. Shewhart control charts for individual gap width values with designated control limits: UNPLx – upper control limit; CLx – central line (mathematical expectation); LNPLx – lower control limit

Жүктеу (28KB)

© Pochtar O., Pochtar A., 2023