Stability and reproducibility evaluation of the technological process of metallization through a removable mask

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

Based on statistical processing of experimental data, the article presents the stability and reproducibility evaluation of the technological process of two-layer metallization of lithium niobate crystals through a metal removable mask by electron beam evaporation.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

O. Pochtar

АО «УПКБ «Деталь»

Autor responsável pela correspondência
Email: oleg_p20@mail.ru

инженер-технолог 3 категории – руководитель группы

Rússia

A. Pochtar

АО «УПКБ «Деталь»

Email: ananpochtar@gmail.com

начальник сектора

Rússia

Bibliografia

  1. Иванов А., Смирнов Б. Электронно-лучевое напыление: технология и оборудование // НАНОИНДУСТРИЯ. 2012. № 6 (36). С. 28–34.
  2. Локтев Д. А. Статистическое управление производственными процессами – ключ к успеху современного промышленного предприятия // Известия МГТУ «МАМИ». 2014. № 1(19), т. 2. С. 128–136.
  3. Уилер Д., Чамберс Д. Статистическое управление процессами. Оптимизация бизнеса с использованием контрольных карт Шухарта / Пер. с англ., 2-е изд. М.: Альпина Паблишер, 2016. 582 с.
  4. ГОСТ Р ИСО 7870-2-2015. Статистические методы. Контрольные карты Шухарта. Ч. 2. М., 2015. 46 с.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
2. Fig.1. The end surface of a crystal with a formed metallization topology

Baixar (10KB)
3. Fig.2. Scheme of the crystal metallization process through a free mask (not to scale)

Baixar (16KB)
4. Fig.3. Shewhart control chart with designated control limits for the amount of dust on one side of the gap: A – limits ±3σ; B – limits ±2σ; C – limits ±σ; MO – mathematical expectation

Baixar (25KB)
5. Fig.4. Shewhart control chart with designated control limits for the modulus of the sliding range of the amount of dust deposited on one side of the gap: A – limits ±3σ; B – limits ±2σ; C – limits ±σ; MO – mathematical expectation

Baixar (25KB)
6. Fig.5. Shewhart control charts for individual gap width values with designated control limits: UNPLx – upper control limit; CLx – central line (mathematical expectation); LNPLx – lower control limit

Baixar (28KB)

Declaração de direitos autorais © Pochtar O., Pochtar A., 2023

Este site utiliza cookies

Ao continuar usando nosso site, você concorda com o procedimento de cookies que mantêm o site funcionando normalmente.

Informação sobre cookies