Отправить статью по E-mail Тенденции корпусирования и сборки дискретных силовых элементов на базе полевых МОП-транзисторов
- Авторы: Иванов В.1, Суханов Д.1
-
Учреждения:
- ООО «Остек-ЭК»
- Выпуск: № 10 (2024)
- Страницы: 154-162
- Раздел: Конструкторские решения
- URL: https://journals.eco-vector.com/1992-4178/article/view/653403
- DOI: https://doi.org/10.22184/1992-4178.2024.241.10.154.162
- ID: 653403
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Силовые полупроводниковые устройства широко используются в энергетике, машиностроении, аэрокосмической технике и других отраслях. В статье рассмотрены различные виды силовых полупроводниковых устройств. Приведена информация о корпусах разных типов для силовых элементов на базе полевых МОП-транзисторов, предлагаемых рядом производителей.
Ключевые слова
Полный текст
Об авторах
В. Иванов
ООО «Остек-ЭК»
Автор, ответственный за переписку.
Email: ivanov.v@ostec-group.ru
начальник группы
РоссияД. Суханов
ООО «Остек-ЭК»
Email: sukhanov.d@ostec-group.ru
заместитель технического директора
РоссияДополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Виды силовых элементов (а) и структура MOSFET (б)
Скачать (239KB)
3.
Рис. 2. Вставные корпуса: а – DIP; б – TO; в – PGA
Скачать (18KB)
4.
Рис. 3. Корпуса для поверхностного монтажа: а – D-PAK; б – SOT; в – SOP; г – QFP; д – PLCC
Скачать (40KB)
5.
Рис. 4. Внешний вид корпусов TO: а – TO-247; б – TO-220; в – TO-220F; г – D-PAK; д – D2PAK
Скачать (55KB)
6.
Рис. 5. Размеры (в мм) корпусов TO252/D-PAK (а) и ТО-263/D2PAK (б)
Скачать (149KB)
7.
Рис. 6. Виды корпусов SOT: а – SOT23; б – SOT323; в – SOT89; г – SOT23-6; д – SOT363/SOT26
Скачать (54KB)
8.
Рис. 7. Корпуса SOP для MOSFET: а – TSOP6; б – TTSOP-8
Скачать (46KB)
9.
Рис. 8. Первый вариант исполнения корпуса WPAK-D1 (а) и второй WPAK-D2 с уменьшенной индуктивностью (б)
Скачать (125KB)
10.
Рис. 9. Корпуса LFPAK (а) и LFPAK-i (б) компании Renesas
Скачать (46KB)
11.
Рис. 10. DrMOS компании Intel (а) в сравнении со стандартным вариантом сборки (б)
Скачать (95KB)
12.
Рис. 11. Корпуса Power-PAK1212-8 (а) и Power-PAK SO-8 (б) компании Vishay
Скачать (105KB)
13.
Рис. 12. Корпус Polar-PAK компании Vishay
Скачать (60KB)
14.
Рис. 13. Корпуса DFN5 (SO-8FL) (а) и WDFN8 (б) компании Onsemi
Скачать (42KB)
15.
Рис. 14. Корпуса LFPAK (а) и QFPAK (б) компании NXP (размеры в мм)
Скачать (102KB)
16.
Рис. 15. Корпус Power 56 компании Fairchild Semiconductor (размеры в мм)
Скачать (140KB)
17.
Рис. 16. Конструкция корпуса DirectFET компании International Rectifier
Скачать (104KB)
18.
Рис. 17. Проволочная сварка межсоединений в корпусах типа TO, D-PAK, SOT (а) и SOP (б)
Скачать (78KB)
19.
Рис. 18. Схемы сборки по технологиям компаний IR, Vishay (а) и Fairchild (б)
Скачать (65KB)
