Modern methods of removing contaminants from substrates in microelectronics

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

The article discusses methods of liquid and dry cleaning of semiconductor substrates, features of the technological process and the equipment used.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

V. Lelyaev

Компания «Глобал Микроэлектроника»

Autor responsável pela correspondência
Email: VL@global-micro.ru

руководитель направления

Rússia

Bibliografia

  1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы. Надежность. М.: Высшая школа, 1986.
  2. Шмаков М., Паршин В., Смирнов А. Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек // Технологии в электронной промышленности, 2008. № 5.
  3. Burkman D. Optimizing the cleaning procedure for silicon wafers prior to high temperature operations // Semiconductor International. 1981. V. 14. No. 14. Jul.
  4. Wood L., Fairfield C., Wang K. Plasma cleaning of chip scale packages for improvement of wire bond strength // Electronic Materials and Packaging, 2000. (EMAP 2000). International Symposium on. IEEE, 2000.
  5. Корочкин И., Хриченко В. Три кита плазменной очистки. Глобал Микроэлектроника, Москва, 2019.
  6. Yield engineering services / YES G500 User Manual.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
2. Fig. 1. Methods of removing contaminants

Baixar (100KB)
3. Fig. 2. Physical principle of ion (plasma) cleaning

Baixar (122KB)
4. Fig. 3. Design of a cylindrical reactor

Baixar (154KB)
5. Fig. 4. Construction of a chamber with movable electrode shelves

Baixar (92KB)
6. Fig. 5. Electron-free mode

Baixar (79KB)
7. Fig. 6. SH300 plasma cleaning unit from the Korean manufacturer H&J

Baixar (685KB)

Declaração de direitos autorais © Lelyaev V., 2025