Том 19, № 1 (2025)

Компания АО «ЗНТЦ», один из технологических лидеров российского рынка микроэлектроники, уверенно заявляет свои позиции и на рынке фотоники. Генеральный директор АО «ЗНТЦ», выпускник МИЭТ, д. т. н. Анатолий Андреевич Ковалёв рассказал о задачах компании, о тонкостях принимаемых технологических решений.

Приведены результаты исследований по влиянию размеров наноостровков алюминия с длиной l при формировании фрактальных кластеров на полимерных нитях из волокон бензольных колец углерода на условия возникновения эффекта «высокопроводящего надповерхностного состояния» при пробое с величиной напряженности электрического поля 1,6 кВ/см. Проведен расчет толщины слоя при скин-эффекте в полимерных нитях с металлическими фрактальными кластерами для электромагнитного излучения с длиной волны λ и выполнении условия l << λ.

Статья продолжает обзор источников одиночных фотонов, в котором рассматриваются различные способы создания однофотонных источников (ИОФ). Ранее в первой части обзора (Photonics Russia. 2024; 18(5): 376–396) обсуждались требования к однофотонным источникам и критерии их характеризации, описывались источники одиночных фотонов на основе одиночных ионов и на основе одиночных атомов. ИОФ на квантовых точках и на центрах окраски в кристаллах были рассмотрены во второй части обзора (Photonics Russia. 2024; 18(8): 610–620). В третьей части рассмотрены однофотонные источники на углеродных нанотрубках и дефектах в них (инженерия дефектов в нанотрубках), на нанокристаллах и слоистых нанокристаллах.

С развитием оптических технологий повышаются требования к качеству оптотехнической продукции и возникает потребность в создании новых оптических материалов, способных улучшить параметры и характеристики оптических систем, такие как прозрачность, легкость, прочность, устойчивость к внешним воздействиям и экономическая эффективность. В работе рассмотрены некоторые нетрадиционные оптические материалы и их практическое применение.

В настоящей работе впервые для получения тонких пленок состава InGaZnO (IGZO) различной стехиометрии, морфологии и фазового состава использовался метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Пленки синтезировались с помощью установки, подробно описанной нами в работах [1–5]. Исходными веществами являлись элементарные высокочистые In, Ga и Zn, газами-носителями – Ar и H₂, а в качестве плазмообразующего газа использовали смесь (Ar-H₂-O₂). Осаждение проводили на подложки из покровного стекла. Методом энергодисперсионного рентгеновского анализа был определен макросоcтав образцов. Полученные образцы были также исследованы методами сканирующей электронной (СЭМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ) и оптической профилометрии. По измерениям эффекта Холла были определены электрические свойства полученных пленок: тип, подвижность и концентрация носителей.