Model of temperature assignment of silicon growing


Cite item

Full Text

Abstract

Mathematical model of formation of temperature setting for silicon mono crystal growing system by Czochralski method is offered in the article. The model allows to automate the process of its entering to microprocessor control system.

References

  1. Разработка прибора прецизионного регулирования температуры с использованием светопровода : отчет Гиредметпо науч.-исслед. теме СКБРМ-1. М., 1962.
  2. СаханскийС. П. Управление температурой нагревателя на установке выращивания монокристаллов германия // Мехатроника. Автоматизация. Управление. 2008. № 1. С. А2-Л6.
  3. Саханский С. П. Управление процессом выращивания монокристаллов германия: моногр. / Сиб. гос. аэро-космич. ун-т. Красноярск, 2008.
  4. Бабичев А. П., Бабушкина Н. А, Братковский А. М. Физические величины: справ. / под. ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мелихова. М. : Энергоатомиздат, 1991.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML

Copyright (c) 2010 Sakhanski S.P., Barkin S.M.

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies