Model of temperature assignment of silicon growing


如何引用文章

全文:

详细

Mathematical model of formation of temperature setting for silicon mono crystal growing system by Czochralski method is offered in the article. The model allows to automate the process of its entering to microprocessor control system.

参考

  1. Разработка прибора прецизионного регулирования температуры с использованием светопровода : отчет Гиредметпо науч.-исслед. теме СКБРМ-1. М., 1962.
  2. СаханскийС. П. Управление температурой нагревателя на установке выращивания монокристаллов германия // Мехатроника. Автоматизация. Управление. 2008. № 1. С. А2-Л6.
  3. Саханский С. П. Управление процессом выращивания монокристаллов германия: моногр. / Сиб. гос. аэро-космич. ун-т. Красноярск, 2008.
  4. Бабичев А. П., Бабушкина Н. А, Братковский А. М. Физические величины: справ. / под. ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мелихова. М. : Энергоатомиздат, 1991.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML

版权所有 © Sakhanski S.P., Barkin S.M., 2010

Creative Commons License
此作品已接受知识共享署名 4.0国际许可协议的许可
##common.cookie##