电邮这篇文章 Model of temperature assignment of silicon growing
- 作者: Sakhanski SP1, Barkin SM1
-
隶属关系:
- 期: 卷 11, 编号 3 (2010)
- 页面: 149-153
- 栏目: Articles
- URL: https://journals.eco-vector.com/2712-8970/article/view/508637
- ID: 508637
如何引用文章
全文:
详细
Mathematical model of formation of temperature setting for silicon mono crystal growing system by Czochralski method is offered in the article. The model allows to automate the process of its entering to microprocessor control system.
关键词
参考
- Разработка прибора прецизионного регулирования температуры с использованием светопровода : отчет Гиредметпо науч.-исслед. теме СКБРМ-1. М., 1962.
- СаханскийС. П. Управление температурой нагревателя на установке выращивания монокристаллов германия // Мехатроника. Автоматизация. Управление. 2008. № 1. С. А2-Л6.
- Саханский С. П. Управление процессом выращивания монокристаллов германия: моногр. / Сиб. гос. аэро-космич. ун-т. Красноярск, 2008.
- Бабичев А. П., Бабушкина Н. А, Братковский А. М. Физические величины: справ. / под. ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мелихова. М. : Энергоатомиздат, 1991.
补充文件
