Мақаланы E-mail арқылы жіберу Model of temperature assignment of silicon growing
- Авторлар: Sakhanski SP1, Barkin SM1
-
Мекемелер:
- Шығарылым: Том 11, № 3 (2010)
- Беттер: 149-153
- Бөлім: Articles
- URL: https://journals.eco-vector.com/2712-8970/article/view/508637
- ID: 508637
Дәйексөз келтіру
Толық мәтін
Аннотация
Mathematical model of formation of temperature setting for silicon mono crystal growing system by Czochralski method is offered in the article. The model allows to automate the process of its entering to microprocessor control system.
Негізгі сөздер
Әдебиет тізімі
- Разработка прибора прецизионного регулирования температуры с использованием светопровода : отчет Гиредметпо науч.-исслед. теме СКБРМ-1. М., 1962.
- СаханскийС. П. Управление температурой нагревателя на установке выращивания монокристаллов германия // Мехатроника. Автоматизация. Управление. 2008. № 1. С. А2-Л6.
- Саханский С. П. Управление процессом выращивания монокристаллов германия: моногр. / Сиб. гос. аэро-космич. ун-т. Красноярск, 2008.
- Бабичев А. П., Бабушкина Н. А, Братковский А. М. Физические величины: справ. / под. ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мелихова. М. : Энергоатомиздат, 1991.
Қосымша файлдар
