Enviar artigo por via de e-mail Model of temperature assignment of silicon growing
- Autores: Sakhanski SP1, Barkin SM1
-
Afiliações:
- Edição: Volume 11, Nº 3 (2010)
- Páginas: 149-153
- Seção: Articles
- URL: https://journals.eco-vector.com/2712-8970/article/view/508637
- ID: 508637
Citar
Texto integral
Resumo
Mathematical model of formation of temperature setting for silicon mono crystal growing system by Czochralski method is offered in the article. The model allows to automate the process of its entering to microprocessor control system.
Palavras-chave
Bibliografia
- Разработка прибора прецизионного регулирования температуры с использованием светопровода : отчет Гиредметпо науч.-исслед. теме СКБРМ-1. М., 1962.
- СаханскийС. П. Управление температурой нагревателя на установке выращивания монокристаллов германия // Мехатроника. Автоматизация. Управление. 2008. № 1. С. А2-Л6.
- Саханский С. П. Управление процессом выращивания монокристаллов германия: моногр. / Сиб. гос. аэро-космич. ун-т. Красноярск, 2008.
- Бабичев А. П., Бабушкина Н. А, Братковский А. М. Физические величины: справ. / под. ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мелихова. М. : Энергоатомиздат, 1991.
Arquivos suplementares
